TRENCHSTOP™ 62 mm C-시리즈 IGBT4 모듈

Infineon TRENCHSTOP™ 62 mm C-시리즈 IGBT4 모듈은 다양 한 전력 애플리케이션을 위한 고성능 및 신뢰성을 제공하도록 설계되었습니다. 이 모듈은 첨단 TRENCHSTOP™ IGBT4 기술을 통합하여 최적의 전기 성능과 효율을 보장합니다.   FD450R12KE4에 대해 1200V/450A, FD300R17KE4에 대해 1700V/300A의 전압 및 정격 전류를 제공하는 이 모듈은 산업용 드라이브, 재생 에너지 시스템 및 전원 공급 장치와 같은 까다로운 애플리케이션에 적합합니다. 62 mm C-시리즈 모듈은 낮은 스위칭 손실과 높은 열 성능이 특징으로, 주파수 제 어 인버터 드라이브, 풍력 에너지 시스템, 태양광 인버터, UPS (무정전 전원 공급 장치), 용접 장비 및 유도 가열 시스템에 이상적입니다.

결과: 6
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
게이트-이미터 누설 전류
Pd - 전력 발산
패키지/케이스
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Infineon Technologies IGBT 모듈 IGBT-MODULE
데이터시트
2재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Single 600 V 1.45 V 300 A 400 nA 62 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled diode
데이터시트
17재고 상태
최소: 1
배수: 1

Chopper IGBT module Module 1.7 kV 1.95 V 300 A 600 A AG-62MM - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled HE diode
데이터시트
30재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 2.15 V 450 A 400 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200V 300A CHOPPER
데이터시트
9재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 1.7 V 480 A 400 nA 1.47 kW IS5a ( 62 mm )-5 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 300 A chopper IGBT module
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.7 kV 1.95 V 300 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 450 A chopper IGBT module
데이터시트
6재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 1.75 V 450 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray