RBRxx60ANZ 저VF 유형 SCHOTTKY 배리어 다이오드

ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ SCHOTTKY 배리어 다이오드는 TO-220FN 패키지로 제공되는 음극 공통 이중 유형의 다이오드입니다. 이 다이오드는 실리콘 에피택셜 평면 유형 구조를 사용하여 제조되고 -55°C ~ +150°C의 온도 범위에서 작동합니다. ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ 배리어 다이오드는 저VF 와 고신뢰성을 제공합니다. 이 SCHOTTKY 배리어 다이오드는 스위칭 전원장치 및 일반 정류에 매우 적합합니다.

결과: 3
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
장착 스타일
패키지/케이스
구성
기술
If - 순방향 전류
Vrrm - 반복 역 전압
Vf - 순방향 전압
If - 순방향 서지 전류
Ir - 역 전류
최고 작동온도
포장
ROHM Semiconductor 쇼트키 다이오드 및 정류기 Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 10A, ITO-220AB
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 60 V 650 mV 50 A 200 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor 쇼트키 다이오드 및 정류기 Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 20A, ITO-220AB
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 60 V 640 mV 100 A 400 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor 쇼트키 다이오드 및 정류기 Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 30A, ITO-220AB
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 60 V 670 mV 100 A 600 uA + 150 C Tube