AEC-Q200 반도체

결과: 407
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 487재고 상태
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: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM) 2,880재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-416 (SSM) 5,850재고 상태
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: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini) 7,483재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 8,330재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 7,007재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM) 2,874재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 5,892재고 상태
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Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOT-323 3,830재고 상태
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Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 8,830재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 6,250재고 상태
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: 4,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5,658재고 상태
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: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 2,420재고 상태
6,000예상 2026-05-18
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: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5,962재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 1,254재고 상태
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: 4,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 4,629재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 6,000재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 7,757재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 8,000재고 상태
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Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 4,740재고 상태
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Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 2,145재고 상태
8,000예상 2026-04-24
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Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 5,810재고 상태
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: 3,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 6,000재고 상태
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: 3,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 15,715재고 상태
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: 8,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 11,616재고 상태
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: 3,000