BIMOSFET 디스크리트 반도체

이산 반도체의 유형

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IXYS MOSFET 재고 없음
최소: 25
배수: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+ 비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBT ISOPLUS 3KV 22A IGBT 비재고 리드 타임 34 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBT 40 Amps 1600V N/A
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS MOSFET ISOPLUS 3KV 24A DIODE 비재고 리드 타임 57 주
최소: 300
배수: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBT High Voltage High Gain BIMOSFET 비재고 리드 타임 57 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBT BIMOSFET 2500V 75A 비재고 리드 타임 80 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT 65Amps 1700V 재고 없음
최소: 10
배수: 10

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT 3600V/92A Rev Conducting IGBT 재고 없음
최소: 25
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBT MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK 비재고 리드 타임 57 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBT 42 Amps 1700V 6.0 V Rds 비재고 리드 타임 37 주
최소: 300
배수: 10

IGBT Transistors Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS IGBT 모듈 145Amps 1700V 비재고 리드 타임 39 주
최소: 300
배수: 10

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS IGBT 57Amps 1700V 재고 없음
최소: 30
배수: 30

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS247-3
IXYS IGBT 10 Amps 1700V 2.3 Rds 비재고 리드 타임 70 주
최소: 300
배수: 30
IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBT BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBT 비재고 리드 타임 70 주
최소: 300
배수: 30

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBT 65Amps 1700V 비재고 리드 타임 39 주
최소: 300
배수: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS IGBT 9 Amps 1600V 비재고 리드 타임 33 주

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT 75 Amps 1700V 6.00 Rds N/A

IGBT Transistors Si Screw Mount SOT-227B-4