RF MOSFET 트랜지스터

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 트랜지스터 극성 기술 Id - 연속 드레인 전류 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Rds On - 드레인 소스 저항 작동 주파수 이득 출력 전력 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS
20예상 2026-04-24
최소: 1
배수: 1

Si
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
50주문 중
최소: 1
배수: 1

N-Channel Si 26 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 11.2 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 375-04 Tray


MACOM RF MOSFET 트랜지스터 Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz
60예상 2026-05-06
최소: 1
배수: 1

N-Channel Si 4 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 40 W + 200 C Screw Mount
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLM9D1822S-60PBG/OMP-78/REELDP
300예상 2026-02-24
최소: 1
배수: 1
: 100

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 28.3 dB 45.4 dBm + 150 C SMD/SMT OMP-780-16G-1-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLP0427M9S20/TO270/REEL
100예상 2026-02-23
최소: 1
배수: 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLP15M9S70G/TO270/REEL
100예상 2026-05-29
최소: 1
배수: 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 370 mOhms 2 GHz 19.3 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLS9G2735LS-50/SOT1135/TRAY
45주문 중
최소: 1
배수: 1

N-Channel LDMOS 65 V 300 mOhms 2.7 GHz to 3.5 GHz 12 dB 50 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray

CML Micro RF MOSFET 트랜지스터
4예상 2026-05-27
최소: 1
배수: 1
: 10

N-Channel GaAs 28 GHz 15 dB 24.5 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape

CML Micro RF MOSFET 트랜지스터
1예상 2026-05-27
최소: 1
배수: 1
: 10
N-Channel GaAs 18 GHz 12 dB 30 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro RF MOSFET 트랜지스터
3예상 2026-03-31
최소: 1
배수: 1
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 16 dB 25 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V 비재고 리드 타임 10 주
최소: 50
배수: 50
: 50

N-Channel Si 2.6 A 105 V 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.2 dB 700 W - 55 C + 150 C SMD/SMT NI-780GS-4L Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 비재고 리드 타임 10 주
최소: 240
배수: 240

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 MV9 55W 12.5V TO270WB4 비재고 리드 타임 10 주
최소: 500
배수: 500
: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 764 MHz to 940 MHz 17.5 dB 57 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270WB-4 Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 MV9 800MHZ13.6V 비재고 리드 타임 10 주
최소: 500
배수: 500
: 500

N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 비재고 리드 타임 10 주
최소: 50
배수: 50
: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 VHV6 250W 50V NI780H 비재고 리드 타임 10 주
최소: 50
배수: 50
: 50

N-Channel Si 100 V 960 MHz to 1.215 GHz 20.3 dB 275 W + 150 C Screw Mount NI-780 Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 VHV6 1400MHZ 50V 비재고 리드 타임 10 주
최소: 50
배수: 50
: 50

N-Channel Si 100 V 1.2 GHz to 1.4 GHz 18 dB 330 W + 150 C SMD/SMT NI-780S Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 VHV6 1.25KW ISM NI1230H 비재고 리드 타임 10 주
최소: 150
배수: 150
: 150

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 150W 2700-3100MHz 비재고 리드 타임 10 주
최소: 50
배수: 50
: 50

N-Channel Si 1.8 A 65 V 2.7 GHz to 3.1 GHz 17.2 dB 150 W - 40 C + 150 C Screw Mount OM-780-2 Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 VHV6 500W 50V NI780H 비재고 리드 타임 10 주
최소: 50
배수: 50
: 50

N-Channel Si 110 V 960 MHz to 1.215 MHz 19.7 dB 500 W + 150 C Screw Mount NI-780H-2 Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 HV6 900MHZ 10W 비재고 리드 타임 10 주
최소: 500
배수: 500
: 500

N-Channel Si 125 mA 68 V 450 MHz to 1.5 GHz 18 dB 10 W + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel
CML Micro RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications 비재고 리드 타임 9 주
최소: 10
배수: 10

GaAs 85 mA 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 50

N-Channel Si 10 mA 105 V 340 mOhms 960 MHz to 1.6 GHz 18.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 비재고 리드 타임 12 주
최소: 50
배수: 50
: 50

N-Channel Si 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 16 dB 700 W + 225 C SMD/SMT H-36275-4 Reel
Mini-Circuits RF MOSFET 트랜지스터 MMIC AMPLIFIER N/A
최소: 1
배수: 1
: 500

N-Channel GaAs 120 mA 3 V 45 MHz to 6 GHz 18.6 dB 20.7 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT MCLP-4 Reel, Cut Tape