RF MOSFET 트랜지스터

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 트랜지스터 극성 기술 Id - 연속 드레인 전류 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Rds On - 드레인 소스 저항 작동 주파수 이득 출력 전력 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
최소: 50
배수: 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 380 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 55 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
최소: 250
배수: 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 380 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 55 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
최소: 50
배수: 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 30 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16 dB 420 W + 225 C SMD/SMT H-37275G-6/2 Reel
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
최소: 250
배수: 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 30 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16 dB 420 W + 225 C SMD/SMT H-37275G-6/2 Reel
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
최소: 50
배수: 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 90 mOhms 2.11 GHz to 2.17 GHz 16 dB 430 W + 225 C SMD/SMT H-37275G-6/2 Reel
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
최소: 50
배수: 50
: 50

N-Channel Si 65 V 50 mOhms 1.805 GHz to 1.99 GHz 20.5 dB 150 W + 225 C SMD/SMT H-37248G-4/2 Reel
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
최소: 250
배수: 250
: 250

N-Channel Si 65 V 50 mOhms 1.805 GHz to 1.99 GHz 20.5 dB 150 W + 225 C SMD/SMT H-37248G-4/2 Reel
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 RF LDMOS FET 재고 없음
최소: 250
배수: 250
: 250

N-Channel Si 65 V 30 mOhms 1.805 GHz to 1.99 GHz 20.5 dB 220 W + 225 C SMD/SMT H-37288G-4/2 Reel
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE 재고 없음
최소: 50
배수: 50
: 50
Si Reel
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE 재고 없음
최소: 250
배수: 250
: 250
Si Reel
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE 재고 없음
최소: 50
배수: 50
: 50

Si Reel
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE 재고 없음
최소: 250
배수: 250
: 250

Si Reel
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB 비재고 리드 타임 38 주

N-Channel Si 16 A 125 V 150 MHz 17 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB 비재고 리드 타임 36 주

N-Channel Si 16 A 125 V 175 MHz 13 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB 비재고 리드 타임 30 주

N-Channel Si 40 A 125 V 175 MHz 14 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT Tray
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included 재고 없음
최소: 1
배수: 1
없음
Si Bulk
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included 재고 없음
최소: 1
배수: 1
없음
Si Bulk
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included 재고 없음
최소: 1
배수: 1
없음
Si Bulk
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included 재고 없음
최소: 1
배수: 1
없음
Si 10 mA 65 V 80 mOhms 2.515 GHz to 2.675 GHz 13.5 dB 240 W + 225 C Screw Mount Bulk
CML Micro MWT-11F
CML Micro RF MOSFET 트랜지스터 비재고 리드 타임 8 주
최소: 10
배수: 10
N-Channel GaAs 9 dB 32 dBm SMD/SMT Die Gel Pack
Microchip Technology ARF1511
Microchip Technology RF MOSFET 트랜지스터 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1 비재고 리드 타임 24 주
최소: 10
배수: 10

Si
Microchip Technology ARF463BG
Microchip Technology RF MOSFET 트랜지스터 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source 비재고 리드 타임 24 주
최소: 30
배수: 30

Si Tube
Microchip Technology ARF468BG
Microchip Technology RF MOSFET 트랜지스터 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264 비재고 리드 타임 24 주
최소: 25
배수: 25

N-Channel Si 22 A 500 V 300 mOhms 45 MHz 15 dB 300 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
Microchip Technology ARF469AG
Microchip Technology RF MOSFET 트랜지스터 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264 비재고 리드 타임 24 주
최소: 25
배수: 25

Si Tube
Microchip Technology ARF469BG
Microchip Technology RF MOSFET 트랜지스터 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

Si Tube