RF 양극성 트랜지스터

 RF 양극성 트랜지스터
RF Bipolar Transistors are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many RF bipolar transistor manufacturers including Advanced Semiconductor, Infineon, MACOM, NXP, Renesas & more. Please view our large selection of RF bipolar transistors below.
결과: 252
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 시리즈 트랜지스터 타입 기술 트랜지스터 극성 작동 주파수 DC 컬렉터/베이스 게인 hfe Min 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 이미터-베이스 전압 VEBO 연속 콜렉터 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 구성 장착 스타일 패키지/케이스 자격 포장
MACOM PH1214-220M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,220W,1.2-1.4GHz,150us 비재고 리드 타임 28 주
최소: 20
배수: 20

Si
MACOM PH1214-25M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,25W,28V,1.20-1.40GHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 20
배수: 20

Bipolar Power Si
MACOM PH1214-300M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,Radar,300W,1.2-1.4GHz 비재고 리드 타임 22 주
최소: 20
배수: 20

Si
MACOM PH1214-40M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,40W,40V,1.20-1.40GHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 20
배수: 20

Si
MACOM PH1214-6M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,6W,1.20-1.40_GHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 20
배수: 20

Si
MACOM PH1214-80M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,80W,1.20-1.40GHz,40V 비재고 리드 타임 28 주
최소: 20
배수: 20

Bipolar Power Si
MACOM PH1617-2
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,Wless,2W,1.6-1.7GHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 20
배수: 20

Si
MACOM PH2226-110M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,Radar,110W,2.25-2.55G 비재고 리드 타임 22 주
최소: 20
배수: 20

Bipolar Power Si
MACOM PH2226-50M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,50W,36V,2.20-2.60GHz 비재고 리드 타임 22 주
최소: 20
배수: 20

Bipolar Power Si
MACOM PH2729-130M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,130Wpk,2.7-2.9GHz,100us,10% 비재고 리드 타임 28 주
최소: 20
배수: 20

Bipolar Power Si
MACOM PH2729-25M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,Radar,25W,2.7-2.9GHz 비재고 리드 타임 28 주
최소: 20
배수: 20

Bipolar Power Si NPN 2.9 GHz 60 V 3 V 4 A - 65 C + 200 C Single Ceramic-2
MACOM PH2731-75L
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,Radar,75W,2.7-3.1GHz 비재고 리드 타임 22 주
최소: 20
배수: 20

Bipolar Power Si
MACOM PH3134-10M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,Radar,10W,3.1-3.4GHz 비재고 리드 타임 28 주
최소: 20
배수: 20

Si
MACOM PH3135-20M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,20W,36V,3.10-3.50GHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 20
배수: 20
: 20

Bipolar Power Si NPN 3.5 GHz 65 V 3 V 2.4 A - 65 C + 200 C Single Ceramic-2 Reel
MACOM PH3135-5M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,5W,3.10-3.50_GHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 20
배수: 20

Si
MACOM PH3135-65M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,65W,36V,3.10-3.50GHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 20
배수: 20
: 20

Bipolar Power Si Reel
MACOM SRF4116
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,1025-1150MHz,50V,350pk 비재고 리드 타임 28 주
최소: 20
배수: 20
STMicroelectronics STGWT30HP65FB
STMicroelectronics RF 양극성 트랜지스터 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT 재고 없음
최소: 600
배수: 300

STGWT30HP65FB Si Tube
WeEn Semiconductors TB100EP
WeEn Semiconductors RF 양극성 트랜지스터 TB100/TO-92/STANDARD MARKING * 비재고 리드 타임 16 주
최소: 10,000
배수: 5,000

Si Bulk
WeEn Semiconductors TB100ML
WeEn Semiconductors RF 양극성 트랜지스터 TB100/TO-92/STANDARD MARKING * 비재고 리드 타임 16 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000
Si Ammo Pack
Central Semiconductor RF 양극성 트랜지스터 NPN 30Vcbo 15Vceo 3Vebo 50mA 200mW 비재고 리드 타임 6 주
최소: 5,000
배수: 2,500

PN918 Bipolar Si NPN 20 at 3 mA, 1 V 15 V 3 V 50 mA - 65 C + 200 C Single Through Hole TO-72-4 Bulk
MACOM PH3135-5S
MACOM RF 양극성 트랜지스터 재고 없음
최소: 10
배수: 1
Bipolar Power Si
Central Semiconductor RF 양극성 트랜지스터 NPN RF 30Vcbo 30Vcer 15Vceo 25mA 재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000

BFY90 Bipolar Si NPN 1.1 GHz 25 at 2 mA, 1 V 15 V 2.5 V 25 mA - 65 C + 200 C Single Through Hole TO-72-4 Bulk
Micro Commercial Components (MCC) RF 양극성 트랜지스터 225mW, 25V,50mA 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MMBTH10 Si Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF 양극성 트랜지스터 For NESG270034-AZ 재고 없음
최소: 1
배수: 1

Bipolar SiGe 2.8 V 750 mA SMD/SMT