5G RF JFET 및 LDMOS FET

MACCOM 5G RF JFET(접합 전계 효과 트랜지스터) 및 LDMOS(측면 확산 금속 산화 반도체) FET는 차세대 무선 전송을 위해 열 성능이 향상된 고전력 트랜지스터입니다. 이 장치는 SiC HEMT(고전자 이동성 트랜지스터) 기술 기반 GaN, 입력 정합, 고효율, 이어리스 플랜지가 있는 열 성능이 강화된 표면 실장 패키지가 특징입니다. MACCOM 5G RF JFET 및 LDMOS FET는 다중 표준 셀룰러 전력 증폭기 애플리케이션에 이상적입니다. 

결과: 2
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 트랜지스터 극성
기술
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Rds On - 드레인 소스 저항
작동 주파수
이득
출력 전력
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
데이터시트
90재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 250

N-Channel Si 65 V 80 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13.5 dB 400 W + 225 C Screw Mount HB2SOF-8-1 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM RF MOSFET 트랜지스터 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
데이터시트
재고 없음
최소: 50
배수: 50
릴: 50

N-Channel Si 65 V 80 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13.5 dB 400 W + 225 C Screw Mount HB2SOF-8-1 Reel