4G/5G 저잡음 증폭기

Infineon Technologies 4G/5G 저잡음 증폭기는 LTE 및 5G용으로 설계되었으며 넓은 주파수 범위를 포괄합니다. 4G/5G 저잡음 증폭기 이득 단계는 동적 시스템 범위를 증가 시키고 변화하는 간섭 시나리오를 수용하도록 조정할 수 있는 이득 및 선형성이 특징입니다.

결과: 5
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 작동 주파수
작동 공급 전압
작동 공급 전류
이득
NF - 잡음 지수
타입
장착 스타일
패키지/케이스
기술
P1dB - 압축 지점
OIP3 - 3차 교차점
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Infineon Technologies RF 증폭기 RF MMIC 3 TO 6 GHZ
데이터시트
11,542재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 15,000
1.4 GHz to 2.7 GHz 1.8 V 5.8 mA 20.2 dB 11.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSNP-9-2 Si - 17 dBm Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF 증폭기 7x LNA Bank with Output Cross-Switch for 5G
데이터시트
4,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

600 MHz to 2.7 GHz 1.2 V, 1.8 V 21 dB 0.8 dB SMD/SMT PG-WF2BGA-50-2 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF 증폭기 RF MMIC 3 TO 6 GHZ
데이터시트
7,445재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 12,000

2.3 GHz to 2.7 GHz 1.1 V to 3.3 V 2.2 mA 20.3 dB 0.6 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TSNP-6-10 Si - 17 dBm - 7 dBm - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies RF 증폭기 RF MMIC 3 TO 6 GHZ
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 12,000
배수: 12,000
릴: 12,000

4.4 GHz to 5 GHz 1.1 V to 2 V 5.6 mA 19 dB 1 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 19 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel
Infineon Technologies RF 증폭기 RF MMIC 3 TO 6 GHZ
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 12,000
배수: 12,000
릴: 12,000

3.3 GHz to 4.2 GHz 1.1 V to 2 V 5.8 mA 21 dB 0.75 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 18 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel