LMG341xR150 GaN FET

설계자는 드라이버 및 보호 기능이 통합된 Texas Instruments LMG341xR150 GaN FET를 통해 전력 전자 시스템에서 새로운 전력 밀도 수준과 효율성을 달성할 수 있습니다. LMG341xR150 GaN FET는 초저 입력 및 출력 정전용량, 스위칭 손실을 최대 80%까지 줄이기 위한 역방향 회복 제로, EMI 감소를 위한 낮은 스위치 노드 공명이 특징입니다. 이러한 특징 덕분에 토템폴 PFC와 같이 밀도가 높고 효율적인 토폴로지가 가능합니다.

결과: 4
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
타입
장착 스타일
패키지/케이스
드라이버 수
출력 수
출력 전류
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
구성
상승 시간
하강 시간
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHT
데이터시트
703재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VQFN-32 1 Driver 1 Output 12 A 9.5 V 18 V Non-Inverting 2.9 ns 26 ns - 40 C + 125 C LMG3411R150 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
데이터시트
110재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 250

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VQFN-32 1 Driver 1 Output 12 A 9.5 V 18 V Non-Inverting 2.9 ns 26 ns - 40 C + 125 C LMG3410R150 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
데이터시트
140재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 250

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VQFN-32 1 Driver 1 Output 12 A 9.5 V 18 V Non-Inverting 2.9 ns 26 ns - 40 C + 125 C LMG3411R150 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHT
데이터시트
305재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VQFN-32 1 Driver 1 Output 12 A 9.5 V 18 V Non-Inverting 2.9 ns 26 ns - 40 C + 125 C LMG3410R150 Reel, Cut Tape, MouseReel