SSXO 발진기

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Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 10MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 140
SSXO, MEMS Based VFLGA-4 10 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 85 C 2.5 mm 2 mm 0.84 mm Tube
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 16MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 140
SSXO, MEMS Based VFLGA-4 16 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 85 C 2.5 mm 2 mm 0.84 mm Tube
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 20MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 0.25 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 100MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 560
배수: 140
SSXO, MEMS Based VFLGA-4 100 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 85 C 2.5 mm 2 mm 0.84 mm Tube
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12.288MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 140
SSXO, MEMS Based VFLGA-4 12.288 MHz 25 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 1 % SMD/SMT - 40 C + 85 C 2.5 mm 2 mm 0.84 mm Tube
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 140

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 1 % Tube
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 140

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 1 % Tube
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 140

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 2.5 % Tube
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 2.5 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 2 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 25MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 560
배수: 560
SSXO, MEMS Based VLGA-4 25 MHz 50 PPM 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 105 C 2.5 mm 2 mm 0.84 mm AEC-Q100 Tube
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 25MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SSXO, MEMS Based VLGA-4 25 MHz 50 PPM 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 105 C 2.5 mm 2 mm 0.84 mm AEC-Q100 Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.3333MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 700
배수: 700
SSXO, MEMS Based VFLGA-4 Down Spread - 0.5 %
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33.3333MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
SSXO, MEMS Based VFLGA-4 Down Spread - 0.5 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 20MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 600
배수: 100
SSXO, MEMS Based VFLGA-4 20 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 105 C 2 mm 1.6 mm 0.84 mm
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 20.025MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 600
배수: 100
SSXO, MEMS Based VFLGA-4 20.025 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Down Spread - 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 105 C 2 mm 1.6 mm 0.84 mm
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 27MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 400
배수: 400

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 27 MHz 50 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 125 C 1.6 mm 1.2 mm 0.89 mm AEC-Q100
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 27MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 Center Spread 0.25 % AEC-Q100 Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 27MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 400
배수: 400

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 Center Spread 0.25 % AEC-Q100
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 27MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 Center Spread 0.25 % AEC-Q100 Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 54MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 560
배수: 560

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 0.25 % AEC-Q100 Tube
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 54MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 0.25 % AEC-Q100 Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 24MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 420
배수: 420

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 0.25 % AEC-Q100 Tube
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 24MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 0.25 % AEC-Q100 Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, AUTO,LVCMOS, 25MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 420
배수: 420

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 0.25 % AEC-Q100 Tube