SiT8008B 시리즈 MEMS 발진기

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SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 1.8V, 90MHz, OE, T&R 2,105재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

90 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2016, 25ppm, 3.3V, 8MHz, ST, T&R 2,617재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

8 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 582재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 16MHz 3.3V 50ppm -40C +85C 449재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 16 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 25MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 71재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R 1,162재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2.5x2.0, 50ppm, 2.25V-3.63V, 25MHz, ST, Default, 1k pcs T&R 8 mm 795재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

25 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R 751재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 50MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 248재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 50 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 100MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 50재고 상태
250예상 2026-04-28
최소: 1
배수: 1
: 250

100 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 8MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 185재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 8 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 25.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 297재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

25 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 20ppm, 1.8V, 80MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 98재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

80 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 3225, 25ppm, 3.3V, 12.288MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 91재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

12.288 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 1.8V, 37.125MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 214재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

37.125 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 90MHz 3.3V 50ppm -20C +70C 500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

90 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.2 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 33.333333MHz 1.8V -40C +85C 20ppm 675재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 33.333333 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 349재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

50 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 1.8V, 24MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 152재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

24 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 50.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 172재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 20ppm, 3.3V, 40MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 162재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

40 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 2.097MHz 3.3V 20ppm -40C +85C 114재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 2.097 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 10MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 414재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

10 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 12.5MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 305재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

12.5 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 20MHz 50ppm 3.3V -40C +85C 164재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 20 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B