SiT8008 시리즈 MEMS 발진기

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SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 460재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 90MHz +/-50ppm -40C to85C 3.3V 245재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 90 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 24MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 243재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 5032, 20ppm, 3.3V, 32MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 10재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 32 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 1.8V, 90MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 250재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 90 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2016, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R 990재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 mm x 1.6 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 33.333333MHz 1.8V -40C +85C 20ppm 330재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 33.333333 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 2.25V-3.63V, 52MHz, ST, 1k pcs T&R 8 mm 774재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 mm x 1.6 mm 52 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 33,33333MHz 1.8V 50ppm -20C +70C 78재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 33.33333 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 16MHz 3.3V 50ppm -40C +85C 125재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 16 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 0 0 72재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 31.25 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 482재고 상태
최소: 1
배수: 1

3.2 mm x 2.5 mm 24 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 50MHz 3.3V -40C +85C 440재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 50 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 24MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 219재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 24 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 20ppm, 3.3V, 14.64MHz, ST, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

2.5 mm x 2 mm 14.64 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 20ppm, 3.3V, 14.64MHz, ST, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 14.64 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 16.667MHz, OE, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 16.667 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 50ppm, 2.5V, 32MHz, ST, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 32 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS 4.2 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 100MHz, OE, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 100 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 3k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 2MHz, OE, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

2.5 mm x 2 mm 2 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 3225, 20ppm, 1.8V, 100MHz, OE, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 3225, 50ppm, 2.5V, 100MHz, OE, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS 4.2 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 3225, 50ppm, 3.3V, 100MHz, OE, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 5032, 50ppm, 3.3V, 36MHz, OE, 1k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 36 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008