S500 MEMS 발진기

결과: 26
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SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 106재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
ABRACON MEMS 발진기 MEMS Oscillator 2520 4-SMD 50MHz +/-20ppm -40C - 85C CMOS 2.25V-3.63V 1,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD-4 50 MHz 20 PPM 10 pF 2.25 V 3.63 V CMOS 1.8 uA - 40 C + 85 C AMMLP
ABRACON MEMS 발진기 MEMS Oscillator 2520 4-SMD 50MHz +/-20ppm -40C - 85C CMOS 1.8V 1,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD-4 50 MHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 1.98 V CMOS 1 uA - 40 C + 85 C AMMLP
ABRACON MEMS 발진기 MEMS Oscillator 2016 4-SMD 50MHz +/-20ppm -40C - 85C CMOS 1.8V 1,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD-4 50 MHz 20 PPM 10 pF 1.71 V 1.98 V CMOS 1 uA - 40 C + 85 C AMMLP
ABRACON MEMS 발진기 MEMS Oscillator 2016 4-SMD 50MHz +/-20ppm -40C - 85C CMOS 2.25V-3.63V 984재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD-4 50 MHz 20 PPM 10 pF 2.25 V 3.63 V CMOS 1.8 uA - 40 C + 85 C AMMLP
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 50MHz, ST, 1k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 50ppm, 3.3V, 50MHz, ST, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm SiT8208
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 25ppm, 3.3V, 50MHz, ST, LVPECL, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 50 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVPECL 61 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 2.25V-3.63V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

50 MHz 25 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 50ppm, 2.25V-3.63V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

50 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 50MHz, ST, 1k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 20 PPM 15 pF 1.71 V 1.89 V LVCMOS, LVTTL 29 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 50MHz, ST, 1k pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 31 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 20 PPM 15 pF 1.71 V 1.89 V LVCMOS, LVTTL 29 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 50ppm, 2.25V-3.63V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

50 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 31 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 2.25V-3.63V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

50 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 20ppm, 3.3V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

50 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

50 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B

SiTime MEMS 발진기 재고 없음
최소: 1
배수: 1

50 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 50MHz, ST, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime SiT9120AI-1C2-33S50.000000X
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 25ppm, 3.3V, 50MHz, ST, LVPECL, 250 pcs T&R 12/16 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 50 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVPECL - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime SiT9120AI-1B3-33S50.000000G
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 50MHz, ST, LVPECL, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 250
배수: 250
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVPECL - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime SiT1602BC-13-18S-50.000000D
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 50ppm, 1.8V, 50MHz, ST, 3k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime SiT1602BI-23-33S-50.000000D
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 50MHz, ST, 3k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

3.2 mm x 2.5 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B