5014 MEMS 발진기

결과: 26
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 패키지/케이스 주파수 주파수 안정성 부하 용량 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 출력 형식 전류 정격 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 32재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 14.7456MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 453재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 14.3181MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 14.3181 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 14.7456MHz, 10PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 14.7456 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1101
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 14.7456MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 420
배수: 420

CDFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 14.3181 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 14.7456MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 350
배수: 25

DFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 14.7456MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 14.7456MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 Oscillator Low Power -40C-105C 25ppm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 14.3181 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 14.7456MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 14.7456MHz, 10PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

VDFN-6 14.7456 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1101
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 4 주
최소: 360
배수: 360

CDFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 14.7456MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 Oscillator Low Power -40C-105C 25ppm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 14.3181 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 440
배수: 440

CDFN-4 14.3181 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 4 주
최소: 420
배수: 420

CDFN-4 14.3181 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 440
배수: 440

CDFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 14.7456MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 350
배수: 25

DFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 14.3181MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 420
배수: 420

CDFN-4 14.3181 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 14.7456MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 14.3181 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001