4400 MEMS 발진기

결과: 93
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 패키지/케이스 주파수 주파수 안정성 부하 용량 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 출력 형식 전류 정격 최저 작동온도 최고 작동온도 자격 시리즈
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 44MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 100재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 44 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVDS, 93.44MHz, 20PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 220
배수: 220

VDFN-6 93.44 MHz 20 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 105 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 19.44MHz, 10PPM, 2.5-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 350
배수: 25

VDFN-6 19.44 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1101
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator High Perf LVPECL 비재고 리드 타임 4 주
최소: 300
배수: 25

VDFN-6 19.44 MHz 25 PPM 0 pF 2.25 V 3.63 V LVPECL 56.5 mA - 40 C + 85 C DSC1122
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVDS, 93.44MHz, 20PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 220
배수: 220

VDFN-6 93.44 MHz 20 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 105 C DSC1123
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVDS, 93.44MHz, 20PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 93.44 MHz 20 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 105 C DSC1123
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 300
배수: 25

VDFN-6 112.44 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1101
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 19.44MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 19.44 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVDS, 93.44MHz, 20PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 93.44 MHz 20 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 105 C DSC1103
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 61.44MHz, 10PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
VDFN-6 61.44 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 550
배수: 25

VDFN-6 61.44 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 61.44MHz, 10PPM, 2.5-3.3V, -40 to 105C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1
VDFN-6 45.158 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-85C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 61.44 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1121
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 19.44MHz, 10PPM, 2.5-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 19.44 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 85 C DSC1101
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator High Perf LVPECL 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

7 mm x 5 mm 19.44 MHz 25 PPM 2.25 V 3.6 V LVPECL - 40 C + 85 C DSC1122
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 112.44 MHz 10 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 40 C + 105 C DSC1101
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2016, 50ppm, 1.8V, 6.144MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

AEC-Q100 SiT8008B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 144MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DFN-4 144 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
SiTime MEMS 발진기 6.144MHz 1.8Volt -40 to +85 100ppm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

1.5 mm x 0.8 mm 6.144 MHz 100 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 160 uA - 40 C + 85 C SiT8021
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 144MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 300
배수: 25

DFN-4 144 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Low Jitter, 114.4MHz, LVDS, -40-85C, 25ppm, 3.2x2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

VDFN-6 114.4 MHz 25 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1123
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 44MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 44 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 44MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 44 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
SiTime MEMS 발진기 6.144MHz 2.25V-3.63V 100ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

1.5 mm x 0.8 mm 6.144 MHz 100 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS - 40 C + 85 C SiT8021
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Osc., Low Jitter, 114.4MHz, LVDS, -40-85C, 25ppm, 3.2x2.5mm, 1k reel 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

VDFN-6 114.4 MHz 25 PPM 2 pF 2.25 V 3.63 V LVDS 29 mA - 40 C + 85 C DSC1123