SiT8008 Low Power Programmable Oscillators

SiTime SiT8008 and SiT8008B low-power programmable oscillators include a programmable drive strength feature to provide a simple, flexible tool to optimize the clock rise/fall time for specific applications. The programmable drive strength improves system radiated electromagnetic interference (EMI) by slowing down the clock rise/fall time. The programmable drive strength also improves the downstream clock receiver’s (RX) jitter by decreasing (speeding up) the clock rise/fall time. The components have the ability to drive large capacitive loads while maintaining full swing with sharp edge rates. The oscillators exhibit EMI reduction by slowing rise/fall time and jitter reduction with faster rise/fall time. Power supply noise can be a source of jitter for the downstream chipset. One way to reduce this jitter is to speed up the rise/fall time of the input clock. Some chipsets may also require faster rise/fall time in order to reduce their sensitivity to this type of jitter. The components have high output load capability. The rise/fall time of the input clock varies as a function of the actual capacitive load the clock drives. At any given drive strength, the rise/fall time becomes slower as the output load increases. The devices can support up to 60pF or higher in maximum capacitive loads with drive strength settings.

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SiTime MEMS 발진기 100MHz 1.8V -40C +85C 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

100 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 24.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 24 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 16MHz 3.3V -40C +85C 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

16 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 16MHz 3.3V -40C +85C 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

16 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 12.288MHz -40C +85C 2.5-3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 12.288 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 33.33333MHz 2.5V 50ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 33.33333 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS 4.2 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 25.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 25 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 30.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 30 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 50.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 50 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 1.8432MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

1.8432 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 242.806MHz 3.3V -40C +85C 20ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

24.806 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 0 0 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 4.718592 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 13.91222MHz 20ppm -20 to 70C 3.3V 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 13.91222 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 14.64 MHz 20ppm -20 to 70C 3.3V 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 14.64 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 33.33333MHz 1.8V 50ppm -20C +70C 재고 없음
최소: 3,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 33.33333 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 10MHz 20ppm 1.8V -20 to 70C 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 10 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 70MHz 20ppm 1.8V -40C +85C 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 70 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 6MHz 3.3V -40C +85C 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 6 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 12MHz 3.3V -40C +85C 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 12 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 50.211MHz +/-20pppm 3.3V+/-10% -40C+85C 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 50.211 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 66MHz 20ppm 2.5V -40 to 85C 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 66 MHz 20 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS 4.2 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 12 MHz 1.8V 25ppm -40 to 85C 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 12 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 20.75MHz 25ppm 1.8V -40 to +85C 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 20.75 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 24.54545MHz 25ppm -40 to +85C 1.8V 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 4.54545 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 2.048MHz 1.8V 25ppm -40 to 85C 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 2.048 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008