SiT8008 Low Power Programmable Oscillators

SiTime SiT8008 and SiT8008B low-power programmable oscillators include a programmable drive strength feature to provide a simple, flexible tool to optimize the clock rise/fall time for specific applications. The programmable drive strength improves system radiated electromagnetic interference (EMI) by slowing down the clock rise/fall time. The programmable drive strength also improves the downstream clock receiver’s (RX) jitter by decreasing (speeding up) the clock rise/fall time. The components have the ability to drive large capacitive loads while maintaining full swing with sharp edge rates. The oscillators exhibit EMI reduction by slowing rise/fall time and jitter reduction with faster rise/fall time. Power supply noise can be a source of jitter for the downstream chipset. One way to reduce this jitter is to speed up the rise/fall time of the input clock. Some chipsets may also require faster rise/fall time in order to reduce their sensitivity to this type of jitter. The components have high output load capability. The rise/fall time of the input clock varies as a function of the actual capacitive load the clock drives. At any given drive strength, the rise/fall time becomes slower as the output load increases. The devices can support up to 60pF or higher in maximum capacitive loads with drive strength settings.

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SiTime MEMS 발진기 24.0MHz -20C +70C 3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

24 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 4.00MHz -20C +70C 3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 4 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 50MHz -20C +70C 3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 50 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 7.3728MHz -20C +70C 3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 7.3728 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 80MHz 2.5V -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 80 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS 4.2 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 8MHz 2.5-3.3V 25ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 8 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 24MHz 1.8V 50ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

24 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 2.048MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 2.048 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 16MHz 3.3V 50ppm -40C to 85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

16 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 8MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 8 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 16MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

7 mm x 5 mm 16 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 100MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

7 mm x 5 mm 100 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 50ppm, 3.3V, 25MHz, OE, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

25 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 65MHz 3.3V -40C +85C 25ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

65 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 65MHz 3.3V -40C +85C 25ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 65 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 8.00MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

8 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 20MHz -40C +85C 2.5-3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 20 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 24MHz -40C +85C 2.5-3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 45MHz 3.3V -40C +85C 20ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 45 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 24.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

24 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 4.00MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 4 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 24.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 24 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 50.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 250
배수: 250
: 250

50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 24.576MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 24.576 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 100MHz 20ppm 3.3V -40C +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 100 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B