SiTime MEMS 발진기

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SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 33.33333MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 128재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 33.33333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 1.8V, 90MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 250재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 90 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 10.0MHz -20C +70C 3.3V 50ppm 239재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 10 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 28.636363MHz 1.8V 576재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

28.636363 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 24MHz, OE, T&R 1,345재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

24 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 20ppm, 1.8V, 25MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 569재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

25 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 31.25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 54재고 상태
250예상 2026-04-28
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 31.25 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 50ppm, 2.25V-3.63V, 24MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm 165재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

24 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 20ppm, 3.3V, 24MHz, OE, T&R 135재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 24 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 5032, 10ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 106재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 25 MHz 10 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 31 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2016, 20ppm, 'U' Drive Str, 3.3V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 142재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 50 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 105C, 3225, 20ppm, Default Dr Str, 1.8V, 100MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 322재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, LVTTL 3.5 mA - 40 C + 105 C SIT8918B

SiTime MEMS 발진기 -55 to 125C, SOT23, 20ppm, Default Dr Str, 3.3V, 16MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 123재고 상태
1,000예상 2026-05-11
최소: 1
배수: 1
: 1,000

20 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4 mA - 55 C + 125 C
SiTime MEMS 발진기 16MHz 3.3V 50ppm -40C +85C 449재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 16 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 25MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 71재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R 1,162재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2.5x2.0, 50ppm, 2.25V-3.63V, 25MHz, ST, Default, 1k pcs T&R 8 mm 795재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

25 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R 751재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 50MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 248재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 50 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 100MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 50재고 상태
250예상 2026-04-28
최소: 1
배수: 1
: 250

100 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 8MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 190재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 8 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 25.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 297재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

25 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 20ppm, 1.8V, 80MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 98재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

80 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 10ppm, 3.3V, 64MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 160재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 64 MHz 10 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 31 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 10ppm, 2.5V, 25MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm 251재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm SiT8208