SiTime MEMS 발진기

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SiTime MEMS 발진기 -55 to 125C, SOT23, 20ppm, Default Dr Str, 3.3V, 16MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 1,005재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

20 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4 mA - 55 C + 125 C
SiTime MEMS 발진기 210재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SOT-23-5 24 MHz 20 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4 mA - 55 C + 125 C AEC-Q100 SiT2024B
SiTime MEMS 발진기 156.25MHz 2.5V 25ppm -20C +70C 386재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 156.25 MHz 25 PPM 2.25 V 2.75 V LVDS - 20 C + 70 C SiT9365
SiTime MEMS 발진기 -55 to 125C, 2016, 20ppm, Default Dr Str, 3.3V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 148재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 50 MHz 20 PPM 15 pF 3.63 V 2.97 V LVCMOS, LVTTL 4 mA - 55 C + 125 C SIT8920B
SiTime MEMS 발진기 32.768KHz 400mV1.10V -40C +85C 100ppm 7,241재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

1.5 mm x 0.8 mm 32.768 kHz 100 PPM 1.5 V 3.63 V 1.4 uA - 40 C + 85 C SiT1532
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 10ppm, 3.3V, 25MHz, OE, T&R 945재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 10 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 31 mA - 40 C + 85 C SiT8208

SiTime MEMS 발진기 40MHz -55C +125C 3.3V 25ppm AEC-Q200 195재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SOT-23-5 40 MHz 25 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS 4 mA - 55 C + 125 C AEC-Q200 SiT2024B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 10ppm, 3.3V, 100MHz, OE, LVDS, 1k pcs T&R 12/16 mm 700재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SIT9121
SiTime MEMS 발진기 100MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 385재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS - 20 C + 70 C SiT9365
SiTime MEMS 발진기 100MHz LVDS 3.3V -40C +85C 505재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 100 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SIT9120
SiTime MEMS 발진기 256Hz 100ppm -40C +85C 11,981재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

1.5 mm x 0.8 mm 256 Hz 100 PPM 15 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 1.4 uA - 40 C + 85 C SiT1534
SiTime MEMS 발진기 -10 to 70C, 2012, 75ppm, 0.032768MHz, DC-C, 300mV, 900mV, 1k pcs T&R 8 mm 8,942재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 75 PPM 1.2 V 3.63 V LVCMOS 1.3 uA - 10 C + 70 C
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 156.25MHz, OE, LVDS, T&R 1,701재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 156.25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 1,868재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS 발진기 200MHz3.3V 50ppm -40 to 85C 592재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 200 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 156.25MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 259재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 156.25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V HCSL - 20 C + 70 C SiT9365
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 33.333MHz, OE, 1k pcs T&R 12/16 mm 920재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 33.333 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 31 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS 발진기 156.25MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 408재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 156.25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS - 20 C + 70 C SiT9365
SiTime MEMS 발진기 100MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 1,355재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V HCSL - 20 C + 70 C SiT9365
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 564재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 25MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 61재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R 1,043재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2.5x2.0, 50ppm, 2.25V-3.63V, 25MHz, ST, Default, 1k pcs T&R 8 mm 790재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

25 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R 634재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 50MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 123재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 50 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B