SiTime SiT8918B 시리즈 MEMS 발진기

결과: 36
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시리즈
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm
데이터시트
104재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2016, 50ppm, Default Dr Str, 2.5V, 80MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
데이터시트
60재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 80 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, LVTTL 3.6 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 105C, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
데이터시트
121재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 105 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2016, 20ppm, 'U' Drive Str, 3.3V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
데이터시트
72재고 상태
250예상 2026-07-01
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 50 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 100MHz 3.3V -49C +125C
데이터시트
137재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 105C, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 5MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
데이터시트
130재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 5 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 105 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2520, 20ppm, Default Dr Str, 2.25V-3.63V, 24MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 20 PPM 15 pF 2.5 V 3.3 V LVCMOS, LVTTL 3.6 mA, 3.8 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2520, 25ppm, Default Dr Str, 1.8V, 26MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 26 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, LVTTL 3.5 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2520, 25ppm, Default Dr Str, 1.8V, 100MHz, NC, 1k pcs T&R 8 mm
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2520, 25ppm, Default Dr Str, 3.3V, 13.56MHz, OE, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

2.5 mm x 2 mm SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2520, 25ppm, Default Dr Str, 3.3V, 27.12MHz, OE, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

2.5 mm x 2 mm SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 80MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 80 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 25MHz, ST, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

2.5 mm x 2 mm SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 25MHz, ST, 1k pcs T&R 8 mm
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 3225, 20ppm, Default Dr Str, 2.25V-3.63V, 100MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 20 PPM 15 pF 2.5 V 3.3 V LVCMOS, LVTTL 3.6 mA, 3.8 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 3225, 20ppm, Default Dr Str, 2.25V-3.63V, 24MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 24 MHz 20 PPM 15 pF 2.5 V 3.3 V LVCMOS, LVTTL 3.6 mA, 3.8 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 3225, 25ppm, Default Dr Str, 3.3V, 4MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 4 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 3225, 50ppm, Default Dr Str, 1.8V, 24MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 3225, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 100MHz, OE, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

3.2 mm x 2.5 mm SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2016, 20ppm, Default Dr Str, 2.25V-3.63V, 8MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 mm x 1.6 mm 8 MHz 20 PPM 15 pF 2.5 V 3.3 V LVCMOS, LVTTL 3.6 mA, 3.8 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 7050, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 64MHz, OE, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

7 mm x 5 mm 64 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 105C, 2520, 20ppm, Default Dr Str, 1.8V, 50MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 105C, 2520, 20ppm, Default Dr Str, 2.5V, 25MHz, OE, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 20 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, LVTTL 3.6 mA - 40 C + 105 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 105C, 2520, 20ppm, Default Dr Str, 3.3V, 100MHz, ST, 1k pcs T&R 8 mm
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 100 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 105 C SiT8918B