최신 제품 MOSFET 모듈
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ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈
04-10-2026
04-10-2026
TRCDRIVE pack™, DOT-247 및 HSDIP20 패키지는 고성능 전력 변환(high-performance power conversion)에 기여합니다.
Vishay VS-HOT200C080 200 A 80 V 전력 MOSFET 모듈
04-02-2026
04-02-2026
이 장치는 표준 개별 소자 솔루션과 비교하여 회로 기판 공간 요구 사항을 최대 15%까지 줄여줍니다.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE 패키지™ (성형 모듈 포함)
03-17-2026
03-17-2026
41.6 mm × 52.5 mm 패키지로 제공되는 1 200 V 정격 전압이 특징이며 4 세대 SiC MOSFET을 통합하고 있습니다.
Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ 트렌치 MOSFET 모듈
10-09-2025
10-09-2025
PressFIT 접점 기술과 통합 NTC 온도 센서가 특징입니다.
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 자동차 전력 모듈
09-26-2025
09-26-2025
전기 자동차에서 OBC의 DC/DC 컨버터 스테이지를 위한 NTC가 포함된 6팩 토폴로지를 제공합니다.
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA 자동차 전력 모듈
09-26-2025
09-26-2025
하이브리드 자동차와 전기 자동차의 OBC를 위해 NTC가 통합된 3상 4선 PFC 토폴로지를 제공합니다.
SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET 전력 모듈
08-11-2025
08-11-2025
With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.
onsemi NXH015F120M3F1PTG 탄화 규소(SiC) 모듈
05-23-2025
05-23-2025
F1 패키지에 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET 풀 브리지와 Al2O3 DBC가 포함된 서미스터를 갖추고 있습니다.
Navitas Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules
02-20-2025
02-20-2025
Robust, high-voltage SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications.
onsemi NXH0xxP120M3F1 SiC(탄화 규소) 모듈
08-28-2024
08-28-2024
하프 브리지 토폴로지를 기반으로 하는 8mΩ, 10mΩ, 30m 15mΩ /1,200VΩM3S MOSFET을 포함합니다.
onsemi NVVR26A120M1WSx SiC(탄화 규소) 모듈
08-14-2024
08-14-2024
EV/HEV 트랙션 인버터 애플리케이션을 위한 VE-Trac™ B2 SiC 고집적 전력 모듈의 일부입니다.
Infineon Technologies XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 하프 브리지 모듈
08-09-2024
08-09-2024
1.7kV ~ 3.3kV범위의 애플리케이션을 위해 설계되어 전류 전달 기능을 극대화합니다.
Wolfspeed DM SiC 하프 브리지 모듈
06-25-2024
06-25-2024
Offers high-current capability in a very low mass and low volume form factor.
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