최신 제품 트랜지스터 – Mouser 대한민국

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules

03-17-2026

- Features 1200V rated voltage in 41.6mm × 52.5mm package and integrates 4th Generation SiC MOSFETs.

Infineon Technologies Medium-Voltage CoolGaN™ Bidirectional Switches

03-17-2026

- These devices are a great fit for serving as battery disconnect switches in various applications.

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs

03-17-2026

- These are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [RDS(ON)].

onsemi NVMFD5873NL 듀얼 N-채널 전력 MOSFET

03-13-2026

- 높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03-10-2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT

03-09-2026

- 1.0GHz ~ 1.5GHz 주파수 범위에서 작동하는 까다로운 L-밴드 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03-06-2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies N-채널 OptiMOS™ 7 80V 전력 MOSFET

03-05-2026

- 우수한 열 저항성을 제공하는 80V, N-채널, 정상 레벨 장치로서 PG‑TDSON‑8 패키지로 제공됩니다.

EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03-05-2026

- Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03-05-2026

- Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03-05-2026

- Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02-26-2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02-26-2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02-26-2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02-19-2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

TDK-Lambda i1R O 링 MOSFET 모듈

02-05-2026

- 기존 다이오드를 대체 하도록 설계된 고효율 및 저 손실 전력 장치 입니다.

IXYS X4-Class 전력 MOSFET

02-02-2026

- 향상된 효율성으로 저온 상태 저항과 전도 손실을 제공합니다.

Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터

01-20-2026

- 30MHz~1.2GHz에서 작동하는 15W(P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.

Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터

01-19-2026

- 30MHz~1.2GHz에서 작동하는 7W (P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.

Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터

01-19-2026

- SiC HEMT 사이드 25W, 50Ω 입력 정합 이산 질화갈륨은 50V 전원 레일에서 30MHz~1,400MHz 범위에서 작동합니다.

onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET

12-26-2025

- 이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V 전력 MOSFET

12-23-2025

- 폭넓은 포트폴리오 제공으로 업계 벤치마크 성능을 설정합니다.

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