이산 반도체의 유형
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STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터
12-04-2025
고효율 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 E-Mode PowerGaN 트랜지스터입니다.
STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN 트랜지스터
STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN 트랜지스터
11-07-2025
GaN 기술을 기반으로 구축되었으며 까다로운 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
STMicroelectronics SGT350R70GTK E-모드 PowerGaN 트랜지스터
STMicroelectronics SGT350R70GTK E-모드 PowerGaN 트랜지스터
10-28-2025
까다로운 애플리케이션에서 효율적인 전력 변환을 위해 최적화된 E-모드 PowerGaN 트랜지스터.
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA 자동차 전력 모듈
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA 자동차 전력 모듈
09-26-2025
하이브리드 자동차와 전기 자동차의 OBC를 위해 NTC가 통합된 3상 4선 PFC 토폴로지를 제공합니다.
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 자동차 전력 모듈
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 자동차 전력 모듈
09-26-2025
전기 자동차에서 OBC의 DC/DC 컨버터 스테이지를 위한 NTC가 포함된 6팩 토폴로지를 제공합니다.
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1 600 V IH2 직렬 IGBT
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1 600 V IH2 직렬 IGBT
05-22-2025
독자적인 첨단 트렌치 게이트 필드 스톱 구조를 구현하여 제작되었습니다.
STMicroelectronics ESDAxWY 자동차 단방향 ESD 보호
STMicroelectronics ESDAxWY 자동차 단방향 ESD 보호
01-10-2025
열악한 환경에서 민감한 전자공학을 보호하도록 설계된 TVS.
STMicroelectronics TN8050H-12WL 고온 SCR 사이리스터
STMicroelectronics TN8050H-12WL 고온 SCR 사이리스터
01-01-2025
게이트 전류가 낮으면서 높은 내성이 요구되는 산업용 애플리케이션에 적합합니다.
STMicroelectronics STGSH50M120D 다이오드가 있는 ACEPACK SMIT IGBT
STMicroelectronics STGSH50M120D 다이오드가 있는 ACEPACK SMIT IGBT
12-24-2024
하프 브리지 토폴로지에서 두 개의 IGBT와 다이오드를 결합합니다.
STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4 양방향 단선 TVS 다이오드
STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4 양방향 단선 TVS 다이오드
10-14-2024
이 장치는 ESD 과도 현상으로부터 데이터 라인 또는 기타 I/O 포트를 보호하도록 설계되었습니다.
STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y 600V 초고속 브리지 모듈
STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y 600V 초고속 브리지 모듈
10-08-2024
차량 또는 충전소에 통합된 충전기 애플리케이션에 사용하기에 적합합니다.
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG 자동차 등급 IGBT
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG 자동차 등급 IGBT
09-12-2024
고급 독점 트렌치 게이트 필드 스톱 구조를 사용하여 설계되었습니다.
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG 자동차 등급 IGBT
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG 자동차 등급 IGBT
09-12-2024
고급 트렌치 게이트 필드 스톱 구조를 사용하여 개발되었습니다.
STMicroelectronics ESDA5WY 자동차용 단방향 ESD 보호
STMicroelectronics ESDA5WY 자동차용 단방향 ESD 보호
09-10-2024
혹독한 환경용으로 개발된 자동차 단방향 과도 전압 억제기(TVS).
STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR 자동차용 고전압 정류기
STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR 자동차용 고전압 정류기
08-09-2024
일관된 재현 가능 특성과 고유한 견고성을 갖춘 고품질 설계 장치입니다.
STMicroelectronics N-채널 MDmesh K6 전력 MOSFET
STMicroelectronics N-채널 MDmesh K6 전력 MOSFET
07-22-2024
800V, 제너 보호, 100% Avalanche 테스트를 거쳤으며, 플라이백 컨버터와 LED 조명에 이상적입니다.
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG 자동차 등급 MS 시리즈 IGBT
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG 자동차 등급 MS 시리즈 IGBT
07-03-2024
1,200V, 40A, 저손실, 낮은 열 저항을 제공하고 TO-247 롱 리드 패키지로 제공됩니다.
STMicroelectronics STripFET F8 N 채널 전력 MOSFET
STMicroelectronics STripFET F8 N 채널 전력 MOSFET
12-01-2023
AEC-Q101 인증을 받았으며 30V~150V까지 포괄적인 패키지 솔루션을 제공합니다.
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A 고속 H 시리즈 IGBT
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A 고속 H 시리즈 IGBT
10-31-2023
고급 트렌치 게이트 필드 스톱 구조로 설계되었습니다.
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32 전력 모듈
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32 전력 모듈
10-19-2023
하이브리드 및 전기자동차의 DC/DC 컨버터 스테이지용으로 설계되었습니다.
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N 채널 전력 MOSFET
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N 채널 전력 MOSFET
10-01-2023
초접합 기술에서 20년 간의 경험을 활용하는 MDmesh K6 기술을 사용합니다.
STMicroelectronics SH63N65DM6AG 전력 MOSFET
STMicroelectronics SH63N65DM6AG 전력 MOSFET
08-18-2023
650V 블로킹 전압을 제공하는 자동차 등급 N-채널 MDmesh DM6 하프‑브리지 토폴로지 전력 MOSFET입니다.
STMicroelectronics STPSTxH100/Y 트렌치 전력 SCHOTTKY 다이오드
STMicroelectronics STPSTxH100/Y 트렌치 전력 SCHOTTKY 다이오드
06-29-2023
높은 스위칭 주파수에서 효율 요구 사항을 충족합니다.
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N-채널 STripFET MOSFET
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N-채널 STripFET MOSFET
05-08-2023
이 장치는 향상된 트렌치 게이트 구조를 특징으로 하는 ST의 STripFET F8 기술을 활용합니다.
STMicroelectronics LEO(저 지구 궤도) Rad-Hard IC
STMicroelectronics LEO(저 지구 궤도) Rad-Hard IC
04-04-2023
비용 효율성, 방사능 경도, 품질 보증 및 납품 수량이 결합되어 있습니다.
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    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
    02-05-2026
    High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
    Vishay 고전력 탄화 규소 쇼트키 다이오드
    Vishay 고전력 탄화 규소 쇼트키 다이오드
    02-03-2026
    까다로운 전력 전자 애플리케이션에서 탁월한효율성, 견고성 및 신뢰성을 제공합니다.
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02-03-2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02-03-2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02-03-2026
    Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02-03-2026
    Designed for demanding power conversion applications
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02-02-2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드
    IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드
    01-20-2026
    역 누설 전류가 낮고 복구 시간이 빠른 600 V 또는 1 200 V 쇼트 키 다이오드입니다.
    Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    01-20-2026
    30MHz~1.2GHz에서 작동하는 15W(P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.
    Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    01-19-2026
    SiC HEMT 사이드 25W, 50Ω 입력 정합 이산 질화갈륨은 50V 전원 레일에서 30MHz~1,400MHz 범위에서 작동합니다.
    Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
    01-19-2026
    30MHz~1.2GHz에서 작동하는 7W (P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.
    Littelfuse SM15KPA-HRA 및 SM30KPA-HRA 고신뢰성 다이오드
    Littelfuse SM15KPA-HRA 및 SM30KPA-HRA 고신뢰성 다이오드
    01-13-2026
    항전, 항공 및 eVTOL 애플리케이션에서 I/O 인터페이스, VCC 버스 및 기타 회로를 보호합니다.
    Littelfuse SP432x-01WTG TVS 다이오드
    Littelfuse SP432x-01WTG TVS 다이오드
    01-08-2026
    초저 정전 용량, 양방향 작동 및 높은 수준의 보호 기능 제공.
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
    12-26-2025
    이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V 전력 MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V 전력 MOSFET
    12-23-2025
    폭넓은 포트폴리오 제공으로 업계 벤치마크 성능을 설정합니다.
    Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET
    12-19-2025
    전기차(EV) 애플리케이션의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.
    onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET
    12-19-2025
    높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.
    onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET
    12-04-2025
    낮은 유효 출력 정전용량과 초저 게이트 전하가 특징입니다.
    STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터
    STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터
    12-04-2025
    고효율 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 E-Mode PowerGaN 트랜지스터입니다.
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터
    12-01-2025
    DTO247 패키지는 병렬로 연결된 여러 저전류 TO247 패키지 트랜지스터를 대체합니다.
    onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET
    onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET
    11-25-2025
    매우 낮은 RDS (on) 및 빠른 스위칭 속도를 위한 고성능 트렌치 기술을 제공합니다.
    onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET
    11-25-2025
    극히 낮은 RDS (on) 스위칭 성능과 견고성을 위해 파워트렌치 기술을 사용하여 제작됩니다.
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    11-24-2025
    Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11-24-2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    Bourns SMLJ-R 과도 전압 억제 다이오드
    Bourns SMLJ-R 과도 전압 억제 다이오드
    11-24-2025
    서지 및 ESD 보호를 위해 설계되었으며 소형 칩 패키지 DO-214AB(SMC) 크기 형식으로 제공됩니다.
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