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이산 반도체의 유형

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onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

04-14-2026

- Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

ROHM Semiconductor 고밀도 SiC 전력 모듈

04-10-2026

- TRCDRIVE pack™, DOT-247 및 HSDIP20 패키지는 고성능 전력 변환(high-performance power conversion)에 기여합니다.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04-07-2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

Vishay S07x-M표준복구고압정류기

04-07-2026

- 최대 VRRM이 100 V ~ 1 000 V인 유리 패시베이션 표면 실장 정류기입니다.

Vishay RS07x 고속 복구 정류기

04-07-2026

- 최대 VRRM이 100 V ~ 800 V인 유리 패시베이션 표면 실장 정류기입니다.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04-06-2026

- 고속 스위칭 애플리케이션을 위해 낮은 Rg로 설계된 이중 N-채널 MOSFET.

Vishay VS-HOT200C080 200 A 80 V 전력 MOSFET 모듈

04-02-2026

- 이 장치는 표준 개별 소자 솔루션과 비교하여 회로 기판 공간 요구 사항을 최대 15%까지 줄여줍니다.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04-02-2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04-02-2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

STMicroelectronics STL059N4S8AG 전력 MOSFET

03-31-2026

- Smart STripFET F8 기술로 설계된 40V N-채널 증가 모드 전력 MOSFET입니다.

Toshiba N 채널/P 채널 전력 MOSFET

03-31-2026

- 고속 스위칭, 전원 관리 스위치, DC-DC 컨버터 및 모터 드라이버에 이상적입니다.

Infineon Technologies ESD 보호용 다목적 다이오드

03-27-2026

- 작은 설치 공간에 최상의 보호 기능을 제공하는 이 다이오드는 우수한 ESD 성능을 제공합니다.

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60 V 전력 MOSFET

03-27-2026

- 강력한 전력 MOSFET 기술을 통해 OptiMOS 5보다 우수한 성능을 제공합니다.

Infineon Technologies N-채널 OptiMOS™ 7 25V 전력 MOSFET

03-27-2026

- 애플리케이션에 최적화된 성능을 제공하여 데이터 센터, 서버 및 AI를 위한 피크 성능을 구현합니다.

RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier

03-24-2026

- Designed for micro-power isolated power supply applications in space-constrained environments.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03-24-2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Renesas Electronics TP65B110HRU 양방향 스위치(BDS)

03-20-2026

- 650 V및 110mΩ일반적으로 꺼짐질화갈륨(GaN) BDS는 컴팩트한 TOLT패키지에 있음.

Vishay XFD11K XClampR® 과도 전압 억제기

03-18-2026

- 고온 안정성 및 고신뢰성을 위해 설계된 표면 실장형 양방향 장치.

Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS

03-18-2026

- TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 전력 MOSFET

03-17-2026

- 이 제품들은 매우 낮은 온저항 [RDS(ON)]을 갖춘 N-채널 (N-channel), 노멀 레벨 (normal level) 80V 또는 100V MOSFET입니다.

Infineon Technologies 중전압 CoolGaN™ 양방향 스위치

03-17-2026

- 이 장치는 다양한 애플리케이션에서 배터리 분리 스위치로 사용하기에 매우 적합합니다.

ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE 패키지™ (성형 모듈 포함)

03-17-2026

- 41.6 mm × 52.5 mm 패키지로 제공되는 1 200 V 정격 전압이 특징이며 4 세대 SiC MOSFET을 통합하고 있습니다.

Diodes Incorporated DTHP60B07PT60 A 초고속 평면 정류기

03-13-2026

- 650 V 역전압, 낮은 순방향 전압 강하, 초고속 역회복 시간이 특징입니다.

onsemi NVMFD5873NL 듀얼 N-채널 전력 MOSFET

03-13-2026

- 높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.

Texas Instruments TVS2210 평면 클램프 서지 보호 장치

03-12-2026

- 과도 전류 또는 낙뢰로부터 보호하기 위해 최대 25A의 결함 전류를 강력하게 차단하도록 설계되었습니다.

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