1200V 3 레벨 IGBT 모듈

Infineon Technologies 1,200V 3 레벨 IGBT 모듈은 설계 유연성을 제한하지 않고 전기적 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. IGBT 모듈은 수백 와트에서 메가 와트에 이르는 범위를 포괄합니다. 1,200V IGBT 모듈은 3 레벨 애플리케이션용으로 설계되었습니다.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 게이트-이미터 누설 전류 Pd - 전력 발산 패키지/케이스 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 기술 포장
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 25 A 3-level IGBT module 358재고 상태
₩48,659.7
₩34,215.4
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 25 A 100 nA 215 W EasyPack1B - 40 C + 150 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 75 A 3-level IGBT module 9재고 상태
₩53,140.9
₩38,133
최소: 1
배수: 1
Quad 1.2 kV 1.45 V 75 A 275 W - 40 C + 150 C Screw Mount Si Tray


Infineon Technologies IGBT 모듈 650 V, 400 A 3-level IGBT module
8예상 2026-12-03
₩142,484.2
₩129,096.8
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 880 mV 255 A 100 nA - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 400 A 3-level IGBT module 비재고 리드 타임 26 주
₩237,661.6
₩230,869.2
최소: 6
배수: 6
Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 25 A 3-level IGBT module 비재고 리드 타임 19 주
₩79,718.4
₩58,763.6
최소: 1
배수: 1
Si Tray
Infineon Technologies F3L200R12N2H3B47BPSA2
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 200 A 3-level IGBT module 비재고 리드 타임 24 주
₩100,659.2
최소: 15
배수: 15
Si Tray