Innodisk 메모리 모듈

결과: 96
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Innodisk 메모리 모듈 6재고 상태
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.35 V, 1.5 V + 85 C 204 Pin
Innodisk 메모리 모듈 333MT/s, 32Mx16, 256MB 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 256 MB DDR 333 MT/s 2.6 V + 70 C 200 Pin
Innodisk 메모리 모듈 800MT/s 64Mx16 512MB 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 512 MB DDR2 800 MT/s 1.8 V + 85 C 200 Pin
Innodisk 메모리 모듈 400MT/s, 64Mx8, 512MB 2재고 상태
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 512 MB DDR 400 MT/s 1.6 V + 70 C 184 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2133MT/s, 1Gx8, 8GB 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 16GB 4800MT/s 2Gx8 Ultra Temperature -40C-105C 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 GB DDR5 4800 MT/s 5 V + 105 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 32GB 4800MT/s 2Gx8 Ultra Temperature -40C-105C 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 32 GB DDR5 4800 MT/s 1.1 V + 105 C


Innodisk 메모리 모듈 3200MT/s 8GB 1Gx8 Ultra Temperature -40C-125C 4재고 상태
3주문 중
최소: 1
배수: 1

8 GB DDR4 3200 MT/s 5 V + 125 C 260 Pin
Innodisk 메모리 모듈 8GB 4800MT/s 1Gx16 Ultra Temperature -40C-125C 4재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 GB DDR5 4800 MT/s 5 V + 105 C 262 Pin
Innodisk 메모리 모듈 16GB 4800MT/s 2Gx8 Ultra Temperature -40C-125C 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 GB DDR5 4800 MT/s 5 V + 105 C 262 Pin
Innodisk 메모리 모듈 3200MT/s 32GB 2Gx8 Ultra Temperature -40C - 125C 2재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 GB DDR4 3200 MT/s 5 V + 125 C 260 Pin
Innodisk 메모리 모듈 333MT/s, 32Mx16, 512MB
6예상 2026-03-06
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 512 MB DDR 333 MT/s 2.6 V + 70 C 200 Pin
Innodisk 메모리 모듈 16GB 4800MT/s 2Gx8
1주문 중
최소: 1
배수: 1

16 GB DDR5 4800 MT/s 5 V + 95 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 400MT/s, 64Mx8, 1GB 비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 1 GB DDR 400 MT/s 1.6 V + 70 C 184 Pin
Innodisk 메모리 모듈 533MT/s 64Mx16 512MB 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 512 MB DDR2 533 MT/s 1.8 V + 85 C 200 Pin
Innodisk 메모리 모듈 667MT/s 64Mx16 512MB 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 512 MB DDR2 667 MT/s 1.8 V + 85 C 200 Pin
Innodisk 메모리 모듈 533MT/s 128Mx8 1GB 비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 1 GB DDR2 533 MT/s 1.8 V + 85 C 200 Pin
Innodisk 메모리 모듈 667MT/s 128Mx8 1GB 비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 1 GB DDR2 667 MT/s 1.8 V + 85 C 200 Pin
Innodisk 메모리 모듈 1333MT/s 4GB 256Mx16 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.35 V, 1.5 V + 85 C 204 Pin
Innodisk 메모리 모듈 1600MT/s 4GB 256Mx16 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 4 GB DDR3 1600 MT/s 1.35 V, 1.5 V + 85 C 204 Pin
Innodisk 메모리 모듈 4GB 2666MT/s 512Mx8 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Innodisk 메모리 모듈 4GB 2133MT/s 512Mx8 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Innodisk 메모리 모듈 4GB 2400MT/s 512Mx8 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 4 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Innodisk 메모리 모듈 3200MT/s 512Mx8, 4GB 비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

RDIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2666MT/s 512Mx8, 4GB 비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

RDIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin