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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 메모리 크기 메모리 타입 속도 작동 공급 전압 핀 수
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM 12재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 8 GB DDR3 2133 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM 30재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 2133 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module VLP 3재고 상태
최소: 1
배수: 1
DIMMs, ECC 8 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC Module 3재고 상태
최소: 1
배수: 1
DIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb ECC SODIMM 20재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 2133 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unbuffered Non ECC Module
4예상 2026-11-30
최소: 1
배수: 1
DIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unbuffered Non ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 2133 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR3 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB DDR4-2133 Unbuffered Non-ECC Sodimm 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V