GigaDevice NAND 플래시

결과: 237
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
시리즈
메모리 크기
인터페이스 타입
조직
타이밍 타입
데이터 버스 너비
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
428재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5UE 2 Gbit SPI 256 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
2,997재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 128 M x 8 Synchronous 8 bit 1.7 V 2 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape


GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
918재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
3,960주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 128 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 4,800
배수: 4,800
SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5RE 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 4,800
배수: 4,800
SMD/SMT TFBGA-24 GD5F2GQ5UE 2 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 1.7 V 2 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 8 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 8 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 GD9FU2GxF2A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 GD9FU2GxF2A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 GD9FU2GxF3A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 GD9FU2GxF3A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 GD9FU4GxF3A 4 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 GD9FU4GxF3A 4 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 8 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 8 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray