EEPROM

결과: 43
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Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM 1Kb Protected 1-Wire EEPROM with SHA-1 E 1,365재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 kbit 1-Wire 256 x 4 TO-92-3 2.8 V 5.25 V Through Hole 40 Year - 40 C + 85 C DS28E01 Bulk
Microchip Technology AT21CS01-TOHM10-B
Microchip Technology EEPROM 1.7-3.6V, 125Kbps, Ind Tmp, TO-92, Add=000 278재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 kbit 1-Wire, I2C 128 x 8 TO-92-3 1.7 V 3.6 V Through Hole 100 Year - 40 C + 85 C Bulk
Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 1.8V SERIAL EE, IND 1,703재고 상태
최소: 1
배수: 1

2 kbit UNI/O Bus 100 kHz 256 x 8 TO-92-3 1.8 V 5.5 V Through Hole 200 Year - 40 C + 85 C 11AA020 Bulk
Microchip Technology EEPROM 8K 1024 X 8 1.8V SERIAL EE, IND 867재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 kbit UNI/O Bus 100 kHz 1 k x 8 TO-92-3 1.8 V 5.5 V Through Hole 200 Year - 40 C + 85 C 11AA080 Bulk
Microchip Technology EEPROM 16K 2048 X 8 1.8V SERIAL EE IND 1,057재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 kbit UNI/O Bus 100 kHz 2 k x 8 TO-92-3 2.5 V 5.5 V Through Hole 200 Year - 40 C + 85 C 11LC161 Bulk
Microchip Technology EEPROM 2.7-4.5V, 125Kbps, Ind Tmp, 2-XSFN, Add=000 2,515재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 kbit 1-Wire 128 x 8 XSFN-2 2.7 V 4.5 V SMD/SMT 100 Year - 40 C + 85 C AT21CS01 Tray
Microchip Technology EEPROM 1M 5V SDP - 150NS IND TEMP 22재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit Parallel 5 MHz 128 k x 8 TSOP-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28C010 Tray
Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM 1024-Bit 1-Wire EEPROM 19,917재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 kbit 1-Wire 256 x 4 TO-92-3 2.8 V 5.25 V Through Hole 40 Year - 40 C + 85 C DS2431 Bulk
Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM 1-WIRE 1KBIT EEPROM MEMORY, TO92 LF 76,858재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 kbit 1-Wire 256 x 4 TO-92-3 3 V 5.25 V Through Hole 10 Year - 40 C + 85 C DS28E07 Bulk
Microchip Technology EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP 132재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit Parallel 5 MHz 128 k x 8 TSOP-32 120 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28C010 Tray
Microchip Technology EEPROM IND TEMP GREEN PKG 151재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit Parallel 128 k x 8 TSOP-32 120 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28C010 Tray
Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM 256-Bit 1-Wire EEPROM 1,626재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 bit 1-Wire 32 x 8 TO-92-3 2.8 V 5.25 V Through Hole 40 Year - 40 C + 85 C DS2430A Bulk
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 1.8V SERIAL EE, IND 2,973재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 kbit UNI/O Bus 100 kHz 128 x 8 TO-92-3 1.8 V 5.5 V Through Hole 200 Year - 40 C + 85 C 11AA010 Bulk
Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 1.8V SERIAL EE, IND 814재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 kbit UNI/O Bus 100 kHz 512 x 8 TO-92-3 1.8 V 5.5 V Through Hole 200 Year - 40 C + 85 C 11AA040 Bulk
Microchip Technology EEPROM 16K 2048 X 8 1.8V SERIAL EE, IND 490재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 kbit UNI/O Bus 100 kHz 2 k x 8 TO-92-3 1.8 V 5.5 V Through Hole 200 Year - 40 C + 85 C 11AA160 Bulk
Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM 20Kb 1-Wire EEPROM 44재고 상태
14,140예상 2026-06-30
최소: 1
배수: 1

20 kbit 1-Wire 256 x 80 TO-92-3 4 V 5.25 V Through Hole 40 Year - 40 C + 85 C DS28EC20 Bulk
Microchip Technology EEPROM 1M 3V SDP - 200NS IND TEMP 2재고 상태
624주문 중
최소: 1
배수: 1

1 Mbit Parallel 5 MHz 128 k x 8 TSOP-32 200 ns 3.135 V 3.465 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C Tray
Microchip Technology EEPROM 200NS, TSOP, IND TEMP, GREEN 23재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit Parallel 5 MHz 128 k x 8 TSOP-32 200 ns 3.135 V 3.465 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C Tray
Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM 1-WIRE 4KB EEPROM W/200K WRITE/ERASE CYC
10,542주문 중
최소: 1
배수: 1

4 kbit 1-Wire 256 x 16 TO-92-3 2.8 V 5.25 V Through Hole 40 Year - 40 C + 85 C DS24B33 Bulk
Microchip Technology EEPROM 16K 2048 X 8 1.8V SERIAL EE IND 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1
배수: 1

16 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 2 k x 8 TO-92-3 1.8 V 5.5 V Through Hole 200 Year + 85 C 11AA160 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 150NS PGA 883C
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 120NS PGA 883C
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 150NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 200NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 250NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk