IS67WVH/IS67WVO Memory Devices

ISSI IS67WVH/IS67WVO Memory Devices contain 64Mb/128Mb Pseudo Static Random Access (PSRAM) memory using a self-refresh DRAM array organized as 8M/16M words by 8bits. These memory devices offer up to 400MB/s of high-performance. The IS67WVH HyperRAM™ devices support a HyperBus interface, very low signal count (address, command, and data through 8 DQ pins), and hidden refresh operation. These integrated memory devices feature sequential burst transactions, Read-Write Data Strobe (RWDS), and Double Data Rate (DDR). The IS67WVO memory devices support an Octal Peripheral Interface (OPI) (address, command, and data through 8 SIO pins), very low signal count, and hidden refresh operation. These memory devices are ideal for automotive applications.

결과: 24
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ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 1,577재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 24
: 2,500

256 Mb 32 M x 8 200 MHz OPI 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel, Cut Tape

ISSI SRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 480재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

128 Mb 16 M x 8 35 ns 166 MHz 3.6 V 2.7 V - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 480재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

256 M x 8 32 M x 8 35 ns 200 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 468재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 6

256 M x 8 32 M x 8 35 ns 200 MHz 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 2,250재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 2,500

128 Mb 35 ns 200 MHz 3.6 V 2.7 V - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel, Cut Tape

ISSI SRAM 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 2,250재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 2,500

256 M x 8 32 M x 8 35 ns 200 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel, Cut Tape

ISSI SRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 2,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 2,500

128 Mb 16 M x 8 35 ns 166 MHz 3.6 V 2.7 V - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel, Cut Tape

ISSI SRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

128 Mb 35 ns 200 MHz 3.6 V 2.7 V - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

256 Mb 32 M x 8 200 MHz OPI 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel

ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

128 Mb 16 M x 8 200 MHz OPI 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 105 C TFBGA-24 Reel

ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

128 Mb 16 M x 8 200 MHz OPI 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel

ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

64 Mb 8 M x 8 200 MHz Serial 1.95 V 1.7 V - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel

ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

64 Mb 8 M x 8 200 MHz Serial 3.6 V 2.7 V - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel

ISSI SRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

64 Mb 8 M x 8 35 ns 200 MHz 2 V 1.7 V 15 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

64 Mb 8 M x 8 35 ns 200 MHz 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

256 M x 8 32 M x 8 35 ns 200 MHz 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel

ISSI SRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

64 Mb 8 M x 8 35 ns 200 MHz 2 V 1.7 V 15 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel

ISSI SRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

64 Mb 8 M x 8 35 ns 200 MHz 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel

ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

128 Mb 16 M x 8 200 MHz OPI 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 105 C TFBGA-24

ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

128 Mb 16 M x 8 200 MHz OPI 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

256 Mb 32 M x 8 200 MHz OPI 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

256 Mb 32 M x 8 200 MHz OPI 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

64 Mb 8 M x 8 200 MHz Serial 1.95 V 1.7 V - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

64 Mb 8 M x 8 200 MHz Serial 3.6 V 2.7 V - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24