23AA04M/23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM

Microchip Technology 23AA04M와 23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM은 SPI(직렬 주변기기 인터페이스) 호환 직렬 버스를 통해 액세스할 수 있는 랜덤 액세스 메모리 장치입니다. SRAM은 4096K 비트 저전력과 단일 전압 읽기/쓰기 작업이 특징입니다. 23AA04M 및 23LCV04M는 더 빠른 데이터 전송 속도와 143MHz 고속 클록 주파수를 위해 SDI(직렬 듀얼 인터페이스)와 SQI(직렬 쿼드 인터페이스)를 지원합니다. SRAM은 내장형 ECC(오류 수정 코드) 논리를 제공하여고신뢰성을 보장합니다. Microchip Technology 23AA04M와 23LCV04M 4 Mb SPI/SDI/SQI SRAM은 읽기와 쓰기용 비트, 페이지, 순차 모드를 갖춘 256 x 8비트 구성을 제공합니다. SRAM은 무제한 읽기/쓰기 주기와 외부 배터리 백업 지원으로 작동합니다. 이 장치는 무할로겐이며 RoHS를 준수합니다.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
조직
최대 클록 주파수
인터페이스 타입
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 2.2V-3.6V with Battery Backup
데이터시트
416재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-14 Tube
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 1.7V-3.6V
데이터시트
465재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 1.7V-3.6V
데이터시트
389재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 2.2V-3.6V with Battery Backup
데이터시트
474재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-14 Tube
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 2.2V-3.6V with Battery Backup
데이터시트
193재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-14 Tube
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 1.7V-3.6V
데이터시트
5재고 상태
1,500주문 중
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube