CY62 Asynchronous SRAM

Infineon Technologies CY62 Asynchronous SRAMs integrate single-bit error correction capability and bit-interleaving techniques to mitigate the effects of soft errors. The result is a family of devices that provide best-in-class features and the highest levels of reliability. With the performance to serve a wide variety of industrial, communication, data processing, medical, consumer, and military applications, the latest technology Fast and MOBL™ SRAM devices are form-fit-function compatible with existing Asynchronous SRAM devices based on older technology nodes.

결과: 5
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설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
조직
액세스 시간
인터페이스 타입
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
데이터시트
382재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 960
배수: 960

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,800
배수: 4,800

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 32 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,400
배수: 2,400

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 4,800
배수: 4,800

16 Mbit 2 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray