CY15B004Q 4-KB 직렬(SPI) 자동차 F-RAM

Cypress Semiconductor CY15B004Q 4KB 직렬(SPI) 자동차 F-RAM은 최신 강유전성 공정을 사용하는 비휘발성 메모리입니다. 강유전성 랜덤 액세스 메모리 또는 F-RAM은 비휘발성이며 RAM과 유사한 읽기 및 쓰기를 수행합니다. CY15B004Q는 121년 동안 안정적인 데이터 보존 기능을 제공하며 직렬 플래시, EEPROM 및 기타 비휘발성 메모리로 인한 복잡성, 오버 헤드 및 시스템 수준의 신뢰성 문제를 해결합니다.

결과: 6
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
인터페이스 타입
최대 클록 주파수
조직
패키지/케이스
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Infineon Technologies F램 F램 Memory Serial
데이터시트
908재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 kbit SPI 16 MHz 2 k x 8 SOIC-8 4.5 V 5.5 V - 40 C + 125 C CY15E016Q Tube
Infineon Technologies F램 F램 Memory Serial
데이터시트
220재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 kbit SPI 16 MHz 8 k x 8 SOIC-8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 125 C CY15B064Q Tube
Infineon Technologies F램 F램 Memory Serial
데이터시트
1,116재고 상태
2,500주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

64 kbit SPI 16 MHz 8 k x 8 SOIC-8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 125 C CY15B064Q Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies F램 F램 Memory Serial
데이터시트
700재고 상태
970예상 2026-12-25
최소: 1
배수: 1

4 kbit SPI 10 MHz, 16 MHz 512 k x 8 SOIC-8 3 V 3.6 V - 40 C + 125 C CY15B004Q Tube
Infineon Technologies F램 F램 Memory Serial
데이터시트
5재고 상태
970예상 2026-07-16
최소: 1
배수: 1

64 kbit I2C 1 MHz 8 k x 8 SOIC-8 3 V 3.6 V - 40 C + 125 C CY15B064J Tube
Infineon Technologies F램 F램 Memory Serial
데이터시트
197재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 kbit SPI 16 MHz 8 k x 8 SOIC-8 4.5 V 5.5 V - 40 C + 125 C CY15E064Q Tube