QDR™-II+ DDR-II+ Sync SRAM

Infineon Technologies QDR™-II+ SRAM memory is a high-performance and dual-port SRAM. QDR-II+ SRAM offers a maximum speed of 550MHz, densities up to 144Mb, read latencies of 2 or 2.5 cycles, burst length of 2 or 4, and is available in an industry-standard 165-ball FBGA package. QDR-II+ products also offer optional programmable On-Die Termination (ODT). The QDR-II+ family also includes double data rate (DDR-II+) devices.

결과: 37
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Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 710 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 780 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 2.9v 500MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 680
배수: 680

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 500 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 850 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 500MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 680
배수: 680

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 500 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 850 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 550MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 920 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 400MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 400MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 136
배수: 136

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 500MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,360
배수: 1,360

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 500 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.21 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 550MHz DDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,360
배수: 1,360

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.31 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 2.9v 550MHz DDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 680
배수: 680

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 760 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 550MHz DDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 680
배수: 680

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 970 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 333Mhz 8M x 18 DDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 400Mhz 4M x 36 QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.17 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 4M x 36 QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 105
배수: 105

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.29 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 8M x 18 QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.09 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 4M x 36 QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.52 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 550hz 1.8V 2M x 36 QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.31 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 8M x 18 QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 940 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.9v 550MHz DDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.31 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 680
배수: 680

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 710 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 680
배수: 680

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 780 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 500MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 500 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 850 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 680
배수: 680

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 780 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 450MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 136
배수: 136

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 400MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray