IS43R86400D 512Mb DDR SDRAM

ISSI IS43R86400D 512Mb DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 536,870,912-bit memory array is internally organized as four banks of 128Mb to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. ISSI IS43R86400D 512Mb DDR SDRAM features programmable burst length, burst sequence, and CAS latency, enabling further advantages.

결과: 16
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ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
데이터시트
96재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
데이터시트
33재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 10

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz BGA-60 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 190
배수: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 190
배수: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 108
배수: 108

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 190
배수: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz BGA-60 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 190
배수: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz BGA-60 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz BGA-60 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel