MR5A16A 32Mb Toggle MRAM

Everspin Technologies MR5A16A 32Mb Toggle Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) is a 33,554,432-bit device organized as 2,097,152 words of 16 bits. The MR5A16A series provides SRAM-compatible 35ns read/write timing (45ns for automotive temperature option) with unlimited endurance. Data is always non-volatile for >20 years at temperature and is automatically protected. To simplify fault-tolerant design, the MRAM modules feature an internal single-bit error correction code with 7 ECC parity bits for every 64 data bits. The series is available in a small footprint, 48-pin ball grid array (BGA) package, and a 54-pin thin small outline package (TSOP type 2). These packages are compatible with similar low-power SRAM products and other nonvolatile RAM products.

결과: 12
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Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 255재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 3.3V 32Mb MRAM(자기 메모리) with unlimited read & write endurance, currently MSL 6 24재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 3.3V 32Mb MRAM(자기 메모리) with unlimited read & write endurance, currently MSL 6 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 27 주
최소: 480
배수: 240

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 27 주
최소: 216
배수: 108

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 27 주
최소: 216
배수: 108

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Reel