DDR SDRAM

Micron DDR SDRAM은 애플리케이션이 클록 신호의 상승 및 하강 에지에서 데이터를 전송할 수 있도록 허용하는 혁신적이고 선구적인 기술입니다. 이 장치는 대역폭을 두 배로 늘리고 SDR SDRAM보다 성능을 향상시킵니다. 이 기능을 구현하기 위해 Micron은 내부 데이터 버스가 외부 데이터 버스의 2배 크기인 2n-프리페치 아키텍처를 사용하므로 데이터 클록 주기마다 2회 데이터 캡처가 발생할 수 있습니다.

결과: 7
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 타입
메모리 크기
데이터 버스 너비
최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 60/108 FBGA 1 IT
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SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 IT
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3,916재고 상태
3,240예상 2026-02-27
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SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 512M 32MX16 FBGA
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SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron DRAM DDR 512M 32MX16 TSOP
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릴: 2,000

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 CT
데이터시트
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SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 512Mbit 8 66/66TSOP 1 CT
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SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-66 64 M x 8 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 256M 16MX16 FBGA
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릴: 1,000

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Reel, Cut Tape, MouseReel