Low Latency DRAMs

GSI Technology Low Latency DRAMs are ideal for advanced data networking applications with a low random cycle time and eight-bank memory array architecture. GSI Technology Low Latency DRAMs have double data rate transfers for performance unmatched by commodity DRAM. An SRAM-like address interface makes Low Latency DRAMs easier to use while allowing the devices to maintain near-100% bus utilization for networking tasks.

결과: 8
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패키지/케이스
조직
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공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 533MHz, Commercial Temp
데이터시트
재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 533MHz, Industrial Temp
데이터시트
재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 400MHz, Commercial Temp
데이터시트
재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM 8M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
데이터시트
재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL Tray
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 400MHz, Commercial Temp
데이터시트
재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM 8M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
데이터시트
재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL Tray
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 300MHz, Commercial Temp
데이터시트
재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 300MHz, Industrial Temp
데이터시트
재고 없음
최소: 36
배수: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL