병렬 P-SRAM 메모리

Avalanche Technology 병렬 영구 SRAM 메모리는 1~32Mbit 밀도 범위를 제공하는 MRAM(자기저항 랜덤 액세스 메모리)입니다. P-SRAM 메모리는 2.7~3.6V 전압 범위에서 작동합니다. P-SRAM 메모리 장치는 설치 공간이 작은 54핀 TSOP, 44핀 TSOP, 48볼 FBGA 패키지로 제공됩니다. 이 패키지는 유사한 저전력 휘발성 및 비휘발성 제품과 호환됩니다. 병렬 영구 SRAM 메모리 장치는 -40~85°C 인더스트리얼 작동 온도 범위와 -40~105°C 인더스트리얼 이상 작동 온도 범위에서 작동합니다.

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설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스
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메모리 크기
조직
데이터 버스 너비
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
작동 공급 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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134재고 상태
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FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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123재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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배수: 168

FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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배수: 135

TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 16Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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FBGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3016316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 16Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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FBGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3016316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 16Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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TSOP-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3016316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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배수: 96

TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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재고 없음
최소: 1,008
배수: 168

FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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최소: 1,056
배수: 96

TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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최소: 1,056
배수: 96

TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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최소: 1,056
배수: 96

TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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최소: 1,008
배수: 168

FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray