NoBL Sync SRAM

Infineon Technologies No Bus Latency (NoBL) Burst SRAM eliminates the bus turnaround delay associated with switching between read and write operations to lower latency and increase performance. NoBL SRAM is popular in networking and test equipment applications. Similar to Infineon Standard Synchronous Burst SRAM counterparts, NoBL SRAM is offered in Flow-through and Pipelined architectures. Flow-through parts offer lower latencies, and pipelined parts offer higher operating frequencies, allowing users to select the optimal memory for their application.

결과: 24
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 200MHz SRAM 12재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 280재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz SRAM 101재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 167Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 46재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 400 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 3.3v 167MHz SRAM 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 4 M x 18 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 250Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 250MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 3.63 V 3.14 V 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 2.5v 200MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 360
배수: 360

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 167Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 400 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 200Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 200Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 250Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 360
배수: 360

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 133MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 133MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 305 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 360
배수: 360

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 2.5v 200MHz SRAM 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 3.3v 200MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 133MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525
없음
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.63 V 3.14 V 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 4.6v 200MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210
없음
72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210
없음
72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210
없음
72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray