IS29GL128 NOR Flash Memory Devices

ISSI IS29GL128 NOR Flash Memory Devices offer a fast page access time of 20ns with a corresponding random access time as fast as 70ns. These memory devices feature a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation. The IS29GL128 memory devices thus offer faster effective programming time than standard programming algorithms. These memory devices are ideal for embedded applications that require higher density, better performance, and low power consumption. 

결과: 12
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 시리즈 메모리 크기 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 능동 읽기 전류 - 최대 인터페이스 타입 조직 데이터 버스 너비 타이밍 타입 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
ISSI NOR 플래시 128Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, T&R, Lowest Sector Protected 334재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 800

SMD/SMT TSOP-56 IS29GL128 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 45 mA Parallel 16 M x 8/8 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI NOR 플래시 128Mb, 64 Ball BGA(9X9mm), 3V, RoHS, Highest Sector Protected 390재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 110

SMD/SMT BGA-64 IS29GL128 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 45 mA Parallel 16 M x 8/8 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C
ISSI NOR 플래시 128Mb, 64 Ball BGA(9X9mm), 3V, RoHS, Lowest Sector Protected 149재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 2

SMD/SMT BGA-64 IS29GL128 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 45 mA Parallel 16 M x 8/8 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C
ISSI NOR 플래시 128Mb, 64 Ball BGA11X13mm), 3V, RoHS, Highest Sector Protected 34재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SMD/SMT BGA-64 IS29GL128 128 Mbit 3 V 3.6 V 45 mA Parallel 16 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C
ISSI NOR 플래시 128Mb, 64 Ball BGA(11X13mm), 3V, RoHS, Highest Sector Protected 133재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 5

SMD/SMT BGA-64 IS29GL128 128 Mbit 3 V 3.6 V 45 mA Parallel 16 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C
ISSI NOR 플래시 128Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, Lowest Sector Protected 131재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 5

SMD/SMT TSOP-56 IS29GL128 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 45 mA Parallel 16 M x 8/8 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C
ISSI NOR 플래시 128Mb, 64 Ball BGA(11X13mm), 3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SMD/SMT BGA-64 IS29GL128 128 Mbit 3 V 3.6 V 45 mA Parallel 16 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel
ISSI NOR 플래시 128Mb, 64 Ball BGA(11X13mm), 3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SMD/SMT BGA-64 IS29GL128 128 Mbit 3 V 3.6 V 45 mA Parallel 16 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel
ISSI NOR 플래시 128Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, Highest Sector Protected 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
최대: 1

SMD/SMT TSOP-56 IS29GL128 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 45 mA Parallel 16 M x 8/8 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C
ISSI NOR 플래시 128Mb, 64 Ball BGA(9X9mm), 3V, RoHS, T&R, Lowest Sector Protected 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-64 IS29GL128 128 Mbit 3 V 3.6 V 45 mA Parallel 16 M x 8/8 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel
ISSI NOR 플래시 128Mb, 64 Ball BGA(9X9mm), 3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-64 IS29GL128 128 Mbit 3 V 3.6 V 45 mA Parallel 16 M x 8/8 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel
ISSI NOR 플래시 128Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected 비재고 리드 타임 14 주
최소: 800
배수: 800
: 800

SMD/SMT TSOP-56 IS29GL128 128 Mbit 3 V 3.6 V 45 mA Parallel 16 M x 8/8 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel