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IPTC007N06NM5ATMA1

Name: Infineon IPTC007N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-TC007N06NM5ATMA1
Price: 10330 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-TC007N06NM5ATMA1

제조업체 번호:

IPTC007N06NM5ATMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET IFX FET 60V

데이터시트:

IPTC007N06NM5ATMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 2,498

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩10,330.4	₩10,330
	₩7,000.4	₩70,004
	₩5,209.6	₩520,960
	₩4,780.4	₩4,780,400
전체 릴(1800의 배수로 주문)
	₩4,351.2	₩7,832,160
	₩4,188.4	₩15,078,240
9,000	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	HDSOP-16
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	454 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	750 uOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.1 V
Qg - 게이트 전하:	209 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	375 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	22 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	330 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	18 ns
시리즈:	IPTC007N06
팩토리 팩 수량:	1800
하위 범주:	Transistors
표준 턴-오프 지연 시간:	76 ns
표준 턴-온 지연 시간:	38 ns
부품번호 별칭:	IPTC007N06NM5 SP005753483

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IPTC007N06NM5ATMA1 데이터시트 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 5 전력 MOSFET

Infineon의 OptiMOS™ 5 전력 MOSFET는 시스템 비용을 줄이면서 향상된 시스템 효율 요구사항에 부합하도록 설계되었습니다. 이 장치는 대체 장치 대비 낮은 R_DS(on)와 성능 지수(R_DS(on) x Q_g)가 특징입니다. 새로운 실리콘 기술을 사용하여 설계된 이 장치는 에너지 효율 및 전력 밀도 요구 사항에 부합하고 이를 능가하도록 최적화되었습니다. 이 MOSFET는 컴퓨팅 업계에서 서버, 데이터 통신, 클라이언트 애플리케이션용으로 주로 사용됩니다. 스위치 모드 전원장치(SMPS)의 동기식 정류 및 모터 제어, 태양광 마이크로 인버터, 고속 스위칭 DC/DC 변환기 애플리케이션에도 사용될 수 있습니다.