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ISC015N06NM5LF2ATMA1

Name: Infineon ISC015N06NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC015N06NM5LF2A
Price: 5007 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-ISC015N06NM5LF2A

제조업체 번호:

ISC015N06NM5LF2ATMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET IFX FET 60V

데이터시트:

ISC015N06NM5LF2ATMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 6,780

재고:: 6,780 즉시 배송 가능

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공장 리드 타임:: 52 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(5000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩5,007.8	₩5,008
	₩3,781.4	₩37,814
	₩3,723	₩93,075
	₩3,036.8	₩303,680
	₩3,022.2	₩755,550
	₩2,671.8	₩1,335,900
	₩2,613.4	₩2,613,400
전체 릴(5000의 배수로 주문)
	₩2,482	₩12,410,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TDSON-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	275 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.55 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3.45 V
Qg - 게이트 전하:	90 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	217 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	15 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	28 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	16 ns
팩토리 팩 수량:	5000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	31 ns
표준 턴-온 지연 시간:	17 ns
부품번호 별칭:	ISC015N06NM5LF2ATMA1 SP005987895

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

ISC015N06NM5LF2ATMA1 데이터시트 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 5 전력 MOSFET

Infineon의 OptiMOS™ 5 전력 MOSFET는 시스템 비용을 줄이면서 향상된 시스템 효율 요구사항에 부합하도록 설계되었습니다. 이 장치는 대체 장치 대비 낮은 R_DS(on)와 성능 지수(R_DS(on) x Q_g)가 특징입니다. 새로운 실리콘 기술을 사용하여 설계된 이 장치는 에너지 효율 및 전력 밀도 요구 사항에 부합하고 이를 능가하도록 최적화되었습니다. 이 MOSFET는 컴퓨팅 업계에서 서버, 데이터 통신, 클라이언트 애플리케이션용으로 주로 사용됩니다. 스위치 모드 전원장치(SMPS)의 동기식 정류 및 모터 제어, 태양광 마이크로 인버터, 고속 스위칭 DC/DC 변환기 애플리케이션에도 사용될 수 있습니다.