GP3T016A120H

Name: SemiQ GP3T016A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T016A120H
Price: 18702 KRW
Availability: OutOfStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

148-GP3T016A120H

제조업체 번호:

GP3T016A120H

제조업체:

SemiQ

설명:

SiC MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

GP3T016A120H 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

SemiQ GP3T016A120H에 대해 자세히 알아보십시오.

구매 가능 정보

재고:: 재고 없음

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 18 주 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩18,702.6	₩18,703
	₩13,972.2	₩139,722
	₩12,074.2	₩1,448,904
	₩11,431.8	₩5,830,218
	₩9,694.4	₩9,888,288

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	SemiQ
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-4L
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	350 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	23 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	260 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	484 W
채널 모드:	Enhancement
브랜드:	SemiQ
구성:	Single
하강 시간:	20 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	29 S
포장:	Tube
제품:	MOSFETs
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	25 ns
시리즈:	GP3T
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
타입:	SiC MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	65 ns
표준 턴-온 지연 시간:	21 ns

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

GP3T016A120H 데이터시트 (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GEN3 1200V SiC MOSFET 디스크리트 소자

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.