|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R014M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩45,052.8
-
1,275재고 상태
|
Mouser 부품 번호
726-IMW120R014M1HXKS
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
1,275재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
- C3M0021120J2-TR
- Wolfspeed
-
1:
₩30,004.8
-
88재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-C3M0021120J2-TR
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
|
|
88재고 상태
|
|
|
₩30,004.8
|
|
|
₩22,420
|
|
|
₩19,380
|
|
|
₩18,361.6
|
|
|
₩17,145.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-263-7, Industrial
- C3M0060065J
- Wolfspeed
-
1:
₩14,652.8
-
1,074재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-C3M0060065J
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-263-7, Industrial
|
|
1,074재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
- C3M0075120K-A
- Wolfspeed
-
1:
₩10,214.4
-
724재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-C3M0075120K-A
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
|
|
724재고 상태
|
|
|
₩10,214.4
|
|
|
₩7,098.4
|
|
|
₩6,840
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
- CDMS24740-170 SL PBFREE
- Central Semiconductor
-
1:
₩60,116
-
27재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
610-CDMS24740-170SL
신제품
|
Central Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
|
|
27재고 상태
|
|
|
₩60,116
|
|
|
₩49,187.2
|
|
|
₩43,456.8
|
|
|
보기
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
- C3M0040120J1
- Wolfspeed
-
1:
₩18,437.6
-
661재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-C3M0040120J1
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
|
|
661재고 상태
|
|
|
₩18,437.6
|
|
|
₩11,096
|
|
|
₩11,080.8
|
|
|
₩11,020
|
|
|
₩10,305.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
- C3M0045065J1
- Wolfspeed
-
1:
₩15,200
-
611재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-C3M0045065J1
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
|
|
611재고 상태
|
|
|
₩15,200
|
|
|
₩8,618.4
|
|
|
₩8,603.2
|
|
|
₩8,557.6
|
|
|
₩7,995.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
- IXSA65N120L2-7TR
- IXYS
-
1:
₩18,285.6
-
815재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXSA65N120L2-7TR
신제품
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
|
|
815재고 상태
|
|
|
₩18,285.6
|
|
|
₩12,935.2
|
|
|
₩10,776.8
|
|
|
₩9,424
|
|
|
₩9,104.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH65N120L2KHV
- IXYS
-
1:
₩18,680.8
-
537재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXSH65N120L2KHV
신제품
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
537재고 상태
|
|
|
₩18,680.8
|
|
|
₩13,300
|
|
|
₩9,864.8
|
|
|
₩9,667.2
|
|
|
₩9,348
|
|
최소: 1
배수: 1
:
450
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-011-1-L-TR
- Infineon Technologies
-
1:
₩8,603.2
-
2,083재고 상태
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
499-GS-065-011-1-LTR
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
|
|
2,083재고 상태
|
|
|
₩8,603.2
|
|
|
₩6,080
|
|
|
₩4,286.4
|
|
|
₩3,982.4
|
|
|
₩3,526.4
|
|
|
₩3,070.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-Si
|
SMD/SMT
|
PDFN-6
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-011-1-L-MR
- Infineon Technologies
-
1:
₩8,664
-
2,537재고 상태
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
499-GS-065-011-1-L
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
|
|
2,537재고 상태
|
|
|
₩8,664
|
|
|
₩5,259.2
|
|
|
₩3,754.4
|
|
|
₩3,754.4
|
|
|
₩3,480.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩3,192
|
|
|
₩3,131.2
|
|
|
₩3,070.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
250
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-Si
|
SMD/SMT
|
PDFN-6
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R107M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩10,442.4
-
753재고 상태
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
726-IMBG65R107M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
753재고 상태
|
|
|
₩10,442.4
|
|
|
₩6,764
|
|
|
₩5,092
|
|
|
₩4,772.8
|
|
|
₩4,499.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R12MT12K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
₩94,255.2
-
1,687재고 상태
|
Mouser 부품 번호
905-G3R12MT12K
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
1,687재고 상태
|
|
|
₩94,255.2
|
|
|
₩87,749.6
|
|
|
₩85,302.4
|
|
|
₩84,481.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
- C3M0040120J1-TR
- Wolfspeed
-
1:
₩18,437.6
-
644재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-C3M0040120J1TR
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
|
|
644재고 상태
|
|
|
₩18,437.6
|
|
|
₩12,828.8
|
|
|
₩11,020
|
|
|
₩10,305.6
|
|
|
₩10,305.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R048M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩14,379.2
-
1,019재고 상태
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
726-IMBG65R048M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,019재고 상태
|
|
|
₩14,379.2
|
|
|
₩9,211.2
|
|
|
₩7,296
|
|
|
₩6,885.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
- IXSA110N65L2-7TR
- IXYS
-
1:
₩19,912
-
900재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXSA110N65L2-7TR
신제품
|
IXYS
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
|
|
900재고 상태
|
|
|
₩19,912
|
|
|
₩13,862.4
|
|
|
₩11,020
|
|
|
₩10,442.4
|
|
|
₩10,442.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
- IXSG110N65L2K
- IXYS
-
1:
₩19,912
-
2,090재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXSG110N65L2K
신제품
|
IXYS
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
|
|
2,090재고 상태
|
|
|
₩19,912
|
|
|
₩13,862.4
|
|
|
₩11,020
|
|
|
₩10,442.4
|
|
|
₩10,442.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TOLL-8
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH100N65L2KHV
- IXYS
-
1:
₩20,276.8
-
550재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXSH100N65L2KHV
신제품
|
IXYS
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
550재고 상태
|
|
|
₩20,276.8
|
|
|
₩14,136
|
|
|
₩10,700.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R072M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩11,780
-
861재고 상태
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
726-IMBG65R072M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
861재고 상태
|
|
|
₩11,780
|
|
|
₩7,782.4
|
|
|
₩6,034.4
|
|
|
₩5,852
|
|
|
₩5,532.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
- IMZC120R022M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩26,204.8
-
1,615재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMZC120R022M2HXK
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
|
|
1,615재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 50
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
- SCT4018KWATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩42,408
-
994재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
755-SCT4018KWATL
신제품
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
|
|
994재고 상태
|
|
|
₩42,408
|
|
|
₩30,856
|
|
|
₩29,457.6
|
|
|
₩29,442.4
|
|
|
₩27,892
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7LA
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T020A120H
- SemiQ
-
1:
₩19,121.6
-
294재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
148-GP3T020A120H
신제품
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
294재고 상태
|
|
|
₩19,121.6
|
|
|
₩11,476
|
|
|
₩11,460.8
|
|
|
₩9,880
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩24,350.4
-
1,832재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R026M2HXT
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
1,832재고 상태
|
|
|
₩24,350.4
|
|
|
₩18,544
|
|
|
₩15,443.2
|
|
|
₩13,771.2
|
|
|
₩12,874.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩18,772
-
255재고 상태
-
750예상 2026-07-23
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R040M2HXT
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
255재고 상태
750예상 2026-07-23
|
|
|
₩18,772
|
|
|
₩13,573.6
|
|
|
₩11,308.8
|
|
|
₩10,077.6
|
|
|
₩9,424
|
|
최소: 1
배수: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
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SiC
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SMD/SMT
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PG-HDSOP-22-U03
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N-Channel
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R053M2HXTMA1
- Infineon Technologies
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1:
₩14,941.6
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345재고 상태
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신제품
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Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R053M2HXT
신제품
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Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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345재고 상태
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₩14,941.6
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₩10,001.6
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₩7,508.8
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₩6,961.6
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₩6,885.6
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최소: 1
배수: 1
:
750
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SiC MOSFETS
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SiC
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SMD/SMT
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PG-HDSOP-22-U03
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N-Channel
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대한민국
