D2 시리즈 N-채널 감손 모드 전력 MOSFET

IXYS D2 시리즈 100~1,700V N-채널 감손 모드 전력 MOSFET은 ‘상시 On' 모드에서 작동하는 감손 모드 장치로, 게이트 단자에서 제로 턴온 전압이 필요합니다. 이 시리즈는 계속 "on" 상태인 시스템(예: 응급 또는 도난 경보기)에서 제어 단순화와 전력 손실 감소를 위해 최대 1,700V의 차단 전압과 낮은 드레인-소스 저항을 제공합니다.

결과: 34
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
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21,714재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
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867재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFET
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767재고 상태
210예상 2026-03-11
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1KV 3A N-CH DEPL
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587재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube

IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
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293재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube

IXYS MOSFET 6Amps 1000V
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381재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
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451재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube

IXYS MOSFET N-channel MOSFET
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311재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 1700V 2A
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189재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
데이터시트
3,724재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1KV 6A N-CH DEPL
데이터시트
695재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube

IXYS MOSFET N-CH 500V 16A MOSFET
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1,139재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
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592재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
데이터시트
3,908재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
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1,882재고 상태
200예상 2026-04-03
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
데이터시트
1,796재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
데이터시트
838재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube

IXYS MOSFET TO247 1KV 10A N-CH DEPL
데이터시트
458재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS MOSFET N-CH 200V 16A MOSFET
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614재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 16 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 208 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS 1000V 800MA
데이터시트
1,865재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
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624재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
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441재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET 8mAmps 1000V
데이터시트
6,907재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
데이터시트
5,904재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT
데이터시트
441재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube