브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

검색 결과로 돌아가기

NTBL045N065SC1

Name: onsemi NTBL045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL045N065SC1
Price: 18133 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

863-NTBL045N065SC1

제조업체 번호:

NTBL045N065SC1

제조업체:

onsemi

설명:

SiC MOSFET SIC MOS TOLL 650V

데이터시트:

NTBL045N065SC1 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

onsemi NTBL045N065SC1에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 1,374

재고:: 1,374 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 20 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

1374을(를) 초과하는 수량에 대해서는 최소 주문 요구사항이 적용됩니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩18,133.2	₩18,133
	₩11,504.8	₩115,048
	₩11,256.6	₩1,125,660
	₩10,512	₩10,512,000
전체 릴(2000의 배수로 주문)
	₩9,052	₩18,104,000
4,000	견적

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PSOF-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	73 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	50 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.3 V
Qg - 게이트 전하:	105 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	348 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	EliteSiC
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	7 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	16 S
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	14 ns
시리즈:	NTBL045N065SC1
팩토리 팩 수량:	2000
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
표준 턴-오프 지연 시간:	26 ns
표준 턴-온 지연 시간:	13 ns

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NTBL045N065SC1 데이터시트

PCN

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M2 EliteSiC MOSFET

Onsemi M2 EliteSiC MOSFET은 650V, 750V 및 1200V의 전압 옵션을 특징으로 합니다. onsemi M2 MOSFET은 D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD 및 TO-247-4LD 등 다양한 패키지로 제공됩니다. MOSFET은 설계 및 구현 유연성을 제공합니다. 또한 M2 EliteSiC MOSFET은 +22V/-8V의 최대 게이트-소스 전압, 낮은 R_DS(on) 및 높은 SCWT(단락 내성 시간)을 자랑합니다.

650V SiC(탄화 규소) MOSFET

onsemi 650V SiC(탄화 규소) MOSFET은 Si(규소)에 비해 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. 650V SiC MOSFET은 낮은 온 상태 저항과 낮은 정전용량 및 게이트 전하를 보장하는 콤팩트한 칩 크기가 특징입니다. 장점에 대한 예로는 고효율, 빠른 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI 및 감소된 시스템 크기를 들 수 있습니다.

클라우드 전력 관리 솔루션

onsemi 클라우드 전력 관리 솔루션은 인프라에 필수적인 컴퓨팅과 연결성을 제공합니다. onsemi 클라우드 전력 관리 솔루션의 전력은 프로세서, 메모리 뱅크, 무선 기지국에 필수적입니다. 시스템 운영이 점차 클라우드로 전환됨에 따라 효율성과 신뢰성의 중요성이 커지고 있습니다. 특히 AI 서버는 최적의 성능과 효율성을 보장하기 위해 신뢰할 수 있는 전원 공급원이 필요하므로 이와 같은 솔루션은 AI 기반 운영의 무결성과 기능을 유지하는 데 필수적입니다. onsemi는 클라우드 인프라의 다양한 전력 요구 사항을 지원하기 위해 AC-DC 변환, 다상 변환, PoL 공급 및 핫스왑 보호를 위한 다양한 솔루션을 제공합니다. 최첨단 기술, 신뢰할 수 있는 성능, 응용분야의 전문성에 바탕을 둔 onsemi는 기지국, 서버 또는 데이터 센터에 관계없이 오늘날 환경에서 데이터에 전력을 공급하는 이상적인 파트너입니다.

열 펌프

열 펌프는 안전하고 지속 가능한 난방을 위한 세계적인 변화의 기초 역할을 하며 낮은 방출 전기를 활용하여 안정적인 따뜻함을 제공합니다. 주요 기능은 난방이지만 혁신적인 역방향 사이클 모델은 냉각 기능도 제공합니다. 또한, 폐열을 효율적으로 회수하고 온도를 실제 수준으로 높여 이 열 펌프는 에너지 절약에 대한 엄청난 잠재력을 가지고 있습니다. 기업들이 저탄소 배출 미래로 전환함에 따라 보다 효율적인 전력 반도체에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 이를 추구하려면 비용, 설치 공간 및 효율성의 균형을 맞추는 것이 가장 중요합니다. onsemi IPM(지능형 전력 모듈)은 열 펌프 시장 에서 주목할 만한 솔루션으로 나타나며 콤팩트한 설계, 고전력 밀도 및 고급 제어 기능을 제공합니다.

NTBL045N065SC1 33mohm 탄화 규소 MOSFET

Onsemi NTBL045N065SC1 33mohm 탄화 규소 MOSFET은 TOLL NTBL045N065SC1 패키지에 들어있고 빠르고 견고하도록 설계되었습니다. 이 장치는 10배 더 높은 절연 파괴 전계 강도와 2배 더 높은 전자 포화 속도를 제공합니다. 이 MOSFET은 또한 3배 더 높은 에너지 밴드 갭과 3배 더 높은 열 전도성을 제공합니다. 모든 Onsemi SiC MOSFET에는 자동차와 산업용 애플리케이션을 위해 특별히 설계되고 인증된 AEC-Q101 인증 및 PPAP 가능 옵션이 포함되어 있습니다.