23AA04M/23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM

Microchip Technology 23AA04M와 23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM은 SPI(직렬 주변기기 인터페이스) 호환 직렬 버스를 통해 액세스할 수 있는 랜덤 액세스 메모리 장치입니다. SRAM은 4096K 비트 저전력과 단일 전압 읽기/쓰기 작업이 특징입니다. 23AA04M 및 23LCV04M는 더 빠른 데이터 전송 속도와 143MHz 고속 클록 주파수를 위해 SDI(직렬 듀얼 인터페이스)와 SQI(직렬 쿼드 인터페이스)를 지원합니다. SRAM은 내장형 ECC(오류 수정 코드) 논리를 제공하여고신뢰성을 보장합니다. Microchip Technology 23AA04M와 23LCV04M 4 Mb SPI/SDI/SQI SRAM은 읽기와 쓰기용 비트, 페이지, 순차 모드를 갖춘 256 x 8비트 구성을 제공합니다. SRAM은 무제한 읽기/쓰기 주기와 외부 배터리 백업 지원으로 작동합니다. 이 장치는 무할로겐이며 RoHS를 준수합니다.

결과: 6
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
조직
최대 클록 주파수
인터페이스 타입
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 1.7V-3.6V
데이터시트
479재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 1.7V-3.6V
데이터시트
134재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 2.2V-3.6V with Battery Backup
데이터시트
416재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-14 Tube
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 2.2V-3.6V with Battery Backup
데이터시트
477재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-14 Tube
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 1.7V-3.6V
데이터시트
513재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 2.2V-3.6V with Battery Backup
데이터시트
223재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-14 Tube