NVHL080N120SC1A

onsemi
863-NVHL080N120SC1A
NVHL080N120SC1A

제조업체:

설명:
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V

ECAD 모델:
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제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
31 A
110 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
178 W
Enhancement
AEC-Q101
EliteSiC
브랜드: onsemi
구성: Single
하강 시간: 10 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 13 S
포장: Tube
제품 유형: SiC MOSFETS
상승 시간: 20 ns
시리즈: NVHL080N120SC1A
팩토리 팩 수량: 30
하위 범주: Transistors
기술: SiC
표준 턴-오프 지연 시간: 22 ns
표준 턴-온 지연 시간: 13 ns
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

M1 EliteSiC MOSFET

onsemi  M1 EliteSiC MOSFET은 1,200V 및 1,700V 정격 전압을 제공합니다.  onsemi  M1 MOSFET은 신뢰성과 효율이 요구되는 고전력 애플리케이션의 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. M1 EliteSiC MOSFET은 D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD 및 베어 다이를 포함한 다양한 패키지 옵션으로 제공됩니다.

1,200V EliteSiC(실리콘 카바이드) MOSFET

onsemi 1200V EliteSiC(실리콘 카바이드) MOSFET은 실리콘에 비해 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. 이 MOSFET는 낮은 온 저항을 제공하여 낮은 정전 용량과 게이트 전하를 보장합니다. 1200V EliteSiC MOSFET은 고효율, 빠른 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI 및 감소된 시스템 크기를 포함한 시스템 이점을 제공합니다. 이 MOSFET은 차단 전압, 고속 스위칭 및 낮은 정전 용량이 특징이며 -55°C~+175°C의 온도 범위에서 작동합니다. 1 200 V SiC MOSFET은 AEC-Q101 자동차 인증을 받았으며 RoHS 규격을 준수합니다. 이 MOSFET은 부스트 인버터, 충전소, DC-DC 인버터, DC-DC 컨버터, OBC(온보드 차저), 모터 제어, 산업용 전원 공급 장치 및 서버 전원 공급 장치에 적합합니다.

게이트 드라이버와 EliteSiC MOSFET 페어링

EV 충전, 에너지 저장, UPS (무정전 전원 시스템) 및 태양광과 같은 에너지 인프라 애플리케이션은 시스템 전력 레벨을 수백 킬로와트 및 메가와트로 추진하고 있습니다. 이 고전력 애플리케이션은 인버터 및 BLDC를 위해 최대 6개의 스위치까지 하프 브리지, 풀 브리지 및 3-phase 토폴로지 듀티 사이클을 사용합니다. 전력 레벨 및 스위칭 속도에 따라 시스템 설계자는 애플리케이션 요구 사항에 가장 적합한 실리콘, IGBT 및 SiC를 포함한 다양한 스위치 기술을 찾고 있습니다.

NxHL080N120SC1 N-채널 SiC MOSFET

onsemi NxHL080N120SC1 N-채널 SiC MOSFET은 탁월한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공하는 1,200V, 80mΩ MOSFET입니다. 이 MOSFET은 낮은 ON 저항을 제공하고 낮은 정전용량과 낮은 게이트 전하를 보장하는 콤팩트한 칩 크기로 제공됩니다. NxHL080N120SC1 MOSFET은 높은 효율, 빠른 작동 주파수, 고속 스위칭, 전력 밀도 증가, EMI 감소, 시스템 크기 감소가 특징입니다. 이 MOSFET은 TO247-3L/TO247-3LD 패키지로 제공됩니다. NVHL080N120SC1 및 NVHL080N120SC1A MOSFET은 AEC-Q101 인증에 따라 자동차 등급에 적합합니다.